半导体激光列阵

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半导体技术
《中国学术期刊文摘》2006年第18期159-159,共1页
同质缓冲层对ZnO薄膜光学性质的影响；非晶硒合金膜的制备方法研究；68．5W连续输出1060nm波段半导体激光列阵模块；CMOS电路泄漏功耗估算与降低方法研究；基于小波域分类隐马尔可夫树模型的图像恢复；基于C4．5算法的敏感图像检测方法.
关键词：半导体技术 隐马尔可夫树模型 半导体激光列阵 薄膜光学性质 CMOS电路 C4.5算法 制备方法 连续输出 
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