半导体结构

作品数:54被引量:40H指数:3
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相关机构:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司长鑫存储技术有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司长江存储科技有限责任公司更多>>
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  • 基金=全球变化研究国家重大科学研究计划(2007CB924902)x
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Bi_2VO_(5.5)铁电薄膜的制备及电学性质研究被引量:1
《红外与毫米波学报》2010年第4期248-250,302,共4页张振伦 邓红梅 郭鸣 杨平雄 褚君浩 
国家自然科学基金(60990312);上海市科委重点项目(07JC14018);国家重大科学研究计划项目(2007CB924902);上海市重点学科(B411)
利用溶胶凝胶法在n-Si(100)衬底上成功制备了钒酸铋(Bi2VO5.5)铁电薄膜.利用X射线衍射和原子力显微镜对薄膜的微结构进行了分析,结果表明,Bi2VO5.5薄膜与n-Si衬底有着良好的晶格匹配并表现出高度的c轴择优取向,晶粒大小均匀.对薄膜电学...
关键词:钒酸铋薄膜 金属/铁电薄膜/半导体结构 溶胶凝胶 电学特性 
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