ND掺杂

作品数：93被引量：205H指数：6
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相关机构：中国科学院渭南师范学院哈尔滨工业大学扬州大学更多>>
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La,Ce,Nd掺杂对单层MoS_2电子结构的影响被引量：19
《物理学报》2014年第6期241-248,共8页雷天民 吴胜宝 张玉明 郭辉 陈德林 张志勇 
国家科技重大专项(批准号:2011ZX02707)资助的课题~~
为了研究稀土掺杂对单层MoS2电子结构的影响,文章基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法分别计算了本征及La,Ce,Nd掺杂单层MoS2的晶格参数、能带结构、态密度和差分电荷密度.计算发现,稀土掺杂所引起的晶格畸变与杂质...
关键词：第一性原理 二硫化钼 稀土掺杂 电子结构 MOS2 
Sr位Nd掺杂对SrBi2Nb2O9性能的影响及机理研究被引量：2
《物理学报》2009年第8期5790-5797,共8页孙琳 褚君浩 杨平雄 冯楚德 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB924901);国家自然科学基金(批准号:60677022);上海市科学技术委员会基础研究重点项目(批准号:07DZ22943,08JC1409000)资助的课题~~
采用传统固相法制备了(Sr1-3x/2Ax/2Ndx)Bi2Nb2O9(x=0,0.05,0.1和0.2)陶瓷,并系统研究了Nd离子取代Sr离子对SrBi2Nb2O9性能的影响及其作用机理.研究结果表明:Sr1-3x/2Ax/2NdxBi2Nb2O9的介电常数和介电损耗随温度变化的行为具有明显的离...
关键词：压电陶瓷 介电性能 压电性能 拉曼光谱 
Nd掺杂对Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的微结构和铁电性能的影响被引量：6
《物理学报》2007年第10期6084-6089,共6页谭丛兵 钟向丽 王金斌 廖敏 周益春 潘伟 
国家杰出青年科学基金(批准号:10525211);教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:076044);湖南省自然科学基金(批准号:06JJ30022)资助的课题~~
利用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了Nd掺杂Bi4Ti3O12(Bi4-xNdxTi3O12,x=0.00,0.30,0.45,0.75,0.85,1.00,1.50)铁电薄膜样品.研究了Nd掺杂对Bi4Ti3O12薄膜的微结构和铁电性能的影响.研究结果表明:Nd掺杂未改变Bi4Ti3O12薄...
关键词：ND掺杂 BI4TI3O12 拉曼频移 铁电性能 
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