N型半导体

作品数:76被引量:86H指数:4
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相关机构:上海大学中国科学院南京邮电大学傲迪特半导体(南京)有限公司更多>>
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n型半导体硅电极表面Au的电化学成核机理被引量:4
《物理化学学报》2015年第9期1708-1714,共7页吴小英 杨丽坤 闫慧 杨防祖 田中群 周绍民 
国家重大科学仪器设备开发专项(2011YQ03012406);国家自然科学基金界面电化学创新群体(21321062)及国家自然科学基金(21373172)资助项目~~
在成功实现半导体硅表面电沉积致密金膜的柠檬酸盐镀金实际应用体系中,运用循环伏安和电位阶跃法研究了Au在n型Si(111)电极表面的电沉积过程和成核机理.结果表明,在该体系中,Au在Si表面呈现不可逆电极过程,成核过电位达到250 m V;根据Co...
关键词:N型硅 AU 循环伏安 电位阶跃 成核机理 
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