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期刊=The Journal of China Universities of Posts and Telecommunications

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50-110 GHz,high isolation,and high-power linearity single-pole double-throw switch utilizing 100-nm GaN HEMT technology: 《The Journal of China Universities of Posts and Telecommunications》2024年第2期38-43,71,共7页Han Qunfei Hu Sanming Zhang Tianyu Chen Qing Shen Yizhu Wang Weibo Tao Hongqi; This article presents the design and performance of a single-pole double-throw(SPDT)switch operating in 50-110 GHz.The switch is fabricated in a 100-nm GaN high-electron-mobility transistors(HEMT)technology.To realize...; 关键词：GaN high-electron-mobility transistors(HEMT) millimeter-wave single-pole double-throw(SPDT) switch

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