CMOS压控振荡器

作品数:16被引量:20H指数:3
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相关机构:东南大学电子科技大学遵义师范学院湖南大学更多>>
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低功耗低相位噪声4.8GHz CMOS压控振荡器芯片设计被引量:1
《高技术通讯》2011年第12期1285-1290,共6页樊祥宁 曾军 李斌 朱薇薇 
863计划(2007AA0122a7)资助项目.
采用TSMC0.181μm RFCMOS工艺设计并实现了一个应用于无线传感器网络射频前端频率综合器的低功耗、低相位噪声4.8GHz电感电容压控振荡器。此振荡器的核心电路采用电流源偏置的互补差分负阻结构,降低了电路对电源电压变化的灵敏度和...
关键词:压控振荡器(VCO) 低功耗 低相位噪声 谐振腔设计 无线传感器网络(WSN) 
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