CMOS振荡器

作品数：54被引量：36H指数：4
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两种集成高频CMOS多谐压控振荡器被引量：9
《Journal of Semiconductors》2001年第4期491-495,共5页张春晖 李永明 陈弘毅 
国家重点基础研究专项经费资助&&
提出了两种压控振荡器 ,一种为差分形式 ,另一种为压控环结构 .采用 CSMC公司 0 .6 μm标准 CMOS工艺进行模拟 ,后仿真的结果显示 ,压控环结构的最高频率达到 2 GHz,在 5 V电源下的功耗为 7.5 m W.对压控振荡器的实现方法进行了分析比...
关键词：锁相环 CMOS振荡器 多谐压控振荡器 集成电路 
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