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Influence of thermal stress on the relative permittivity of the AlGaN barrier layer in an AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts: 《Chinese Physics B》2011年第9期350-354,共5页吕元杰林兆军张宇孟令国曹芝芳栾崇彪陈弘王占国; Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No.10774090);the National Basic Research Program of China (Grant No.2007CB936602); Ni Schottky contacts on A1GaN/CaN heterostructures were fabricated. Some samples were thermally treated in a furnace with N2 ambience at 600 ~C for different times （0.5 h, 4.5 h, 10.5 h, 18 h, 33 h, 48 h, and 72 h）,...; 关键词：A1GaN/GaN heterostructures relative permittivity of A1GaN barrier layer conversepiezoelectric effect

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