磁存储器

作品数：54被引量：18H指数：2
导出分析报告
相关领域：自动化与计算机技术理学更多>>
相关作者：吴光恒郭玮陈京兰马丽侯登录更多>>
相关机构：TDK株式会社三星电子株式会社株式会社东芝致真存储(北京)科技有限公司更多>>
相关期刊：《科技纵览》《管理观察》《Bulletin of the Chinese Academy of Sciences》《进展》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国际科技合作与交流专项项目国家重点基础研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=电子与信息学报x
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
基于电压调控自旋轨道矩器件多数决定逻辑门的存内华莱士树乘法器设计
《电子与信息学报》2024年第6期2673-2680,共8页惠亚娟 李青朕 王雷敏 刘成 
国家自然科学基金(62104217)。
在使用新型非易失性存储阵列进行存内计算的研究中,存内乘法器的延迟往往随着位宽的增加呈指数增长,严重影响计算性能。该文设计一种电压调控自旋轨道矩磁随机存储器(VGSOT-MRAM)单元交叉阵列,并提出一种存内华莱士树乘法器的电路设计...
关键词：存算一体 新型非易失性存储器 自旋轨道矩磁存储器 华莱士树乘法器 
面向自旋存内计算架构的图算法优化设计
《电子与信息学报》2023年第9期3193-3199,共7页王雪岩 陈序航 贾小涛 杨建磊 屈钢 赵巍胜 
国家自然科学基金(62004011,62006011,U20A20204,62072019)。
图计算广泛应用于社交网络分析、推荐系统等诸多关键领域,然而,传统的大规模图计算系统面临冯诺依曼架构下访存带来的性能瓶颈。新型存内计算架构成为加速大规模图计算非常有前景的方案,尤其是非易失自旋磁存储器(MRAM)具备超高耐擦写...
关键词：图计算 存内计算架构 位逻辑运算 自旋磁存储器 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部