闾锦

作品数：6被引量：10H指数：2
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供职机构：南京大学更多>>
发文主题：锗硅纳米晶粒存储器浮栅数值模拟更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术理学更多>>
发文期刊：《南京大学学报（自然科学版）》《电子学报》《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
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微晶硅薄膜的等离子增强化学气相沉积生长特征被引量：3
《南京大学学报（自然科学版）》2008年第4期392-400,共9页左则文 闾锦 管文田 濮林 施毅 郑有炓 
国家自然科学基金(90606021)
本文采用27.12 MHz等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术制备了氢化微晶硅薄膜材料,通过Raman散射谱、X射线衍射、扫描电子显微镜、原子力显微镜和傅立叶变换红外谱等表征方法研究了生长条件参数对薄膜结构及生长速率的影响,对薄膜的生长...
关键词：等离子体化学气相沉积 微结构 晶化率 孵化层 
基于锗硅异质纳米晶的非易失浮栅存储器的存储特性
《Journal of Semiconductors》2008年第4期770-773,共4页闾锦 陈裕斌 左正 施毅 濮林 郑有炓 
国家自然科学基金(批准号:60225014;90606021;60676006);国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB0L1000)资助项目~~
利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容-电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表明,该异质纳米晶非易失浮栅存储器具有良好的空穴存储特性,这...
关键词：异质纳米晶 非易失浮栅存储器 电容-电压特性 自组织生长 选择化学刻蚀 
非挥发浮栅存储器用PtAu纳米颗粒单层膜的制备
《纳米技术与精密工程》2008年第2期81-84,共4页闾锦 陈裕斌 潘力佳 濮林 施毅 郑有炓 
国家自然科学基金资助项目(9060602160676006)
将Langmuir-Blodgett(LB)膜等化学方法应用于非挥发浮栅存储器制备工艺中.采用反相微乳液方法合成的分散良好的PtAu纳米颗粒粒径约为5 nm,并应用LB膜方法在存储器隧穿氧化层上制备了PtAu纳米颗粒的单层膜.采用SEM对LB膜的表面形貌进行观...
关键词：非挥发浮栅存储器 PtAu纳米颗粒 反相微乳液 LB膜 
复合量子点MOSFET结构存储器的电路模拟被引量：1
《电子学报》2004年第11期1793-1795,共3页闾锦 施毅 濮林 杨红官 杨铮 郑有炓 
国家自然科学基金 (No .60 2 360 1 0 ;No .60 2 2 50 1 4 ) ;江苏省自然科学基金重点项目
本文采用准经典近似的MonteCarlo方法对复合量子点MOSFET结构存储器的等效单电子电路进行了模拟 .研究结果表明 ,由于台阶状的复合隧穿势垒的作用 ,存储器的存储时间特性可得到极大提高 .我们进一步研究了N沟道锗 /硅复合量子点MOSFET...
关键词：复合量子点 单电子存储器 电路模拟 
锗/硅异质纳米结构中空穴存储特性研究被引量：4
《物理学报》2004年第4期1211-1216,共6页杨红官 施毅 闾锦 濮林 张荣 郑有炓 
家重点基础研究专项基金 (批准号 :G0 0 1CB30 9);国家自然科学基金(批准号:90 1 0 1 0 2 1 ;6 0 2 36 0 1 0 ;6 0 2 2 50 1 4)资助的课题~~
对p沟道锗 硅异质纳米结构存储器空穴隧穿的物理过程作了详细的分析 ,并对器件的擦写和保留时间特性进行了数值模拟 .研究结果表明 :由于异质纳米结构的台阶状隧穿势垒和较高价带带边差的影响 ,与传统的硅纳米结构存储器和n沟道锗 硅...
关键词：锗/硅异质结 纳米结构 存储器 空穴存储 数值模拟 隧穿势垒 器件结构 
p沟道锗/硅异质纳米结构MOSFET存储器及其逻辑阵列被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第2期179-184,共6页杨红官 施毅 闾锦 濮林 沈波 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究专项经费 (批准号 :G0 0 1CB3 0 9);国家自然科学基金 (批准号 :90 10 10 2 1;60 2 3 60 10 )资助项目~~
采用巴丁 (Bardeen)传输哈密顿方法 ,数值计算了 p沟道锗 /硅异质纳米结构存储器的时间特性 .由于台阶状隧穿势垒和较高价带带边的作用 ,这种新型的存储器单元可以同时实现器件的快速编程和长久存储 ,具有优异的存储特性 .以 2× 2逻辑...
关键词：锗/硅 异质纳米结构 存储器 空穴隧穿 数值模拟 
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