曹福年

作品数：4被引量：12H指数：2
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：SI-GAAS砷化镓亚表面损伤层GAASSI更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《稀有金属》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
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砷化镓晶片表面损伤层分析被引量：6
《稀有金属》1999年第4期241-244,共4页郑红军 卜俊鹏 曹福年 白玉柯 吴让元 惠峰 何宏家 
采用ＴＥＭ观测与Ｘ射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离深度相结合的方法，分析了ＳＩＧａＡｓ晶片由切、磨、抛加工所引入的损伤层深度。比较两种方法测量结果上的差异，得出了ＴＥＭ观测到的只是晶片损伤层厚度。
关键词：砷化镓 切片 磨片 抛光片 表面损伤层 晶片 
GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析被引量：2
《固体电子学研究与进展》1999年第1期111-115,共5页郑红军 卜俊鹏 何宏家 吴让元 曹福年 白玉珂 惠峰 
采用ＴＥＭ、ＸｒａｙＲｏｃｋｉｎｇＣｕｒｖｅ等测试的方法，对ＧａＡｓ晶片化学机械抛光后亚表面损伤层引入的深度进行了分析，探讨了碱性ＳｉＯ２胶体水溶液加入不同浓度的电解质（ＮａＯＣｌ）后所发生胶粒带电程度的变化，从胶...
关键词：砷化镓 抛光 亚表面损伤层 
X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度被引量：7
《Journal of Semiconductors》1998年第8期635-638,共4页曹福年 卜俊鹏 吴让元 郑红军 惠峰 白玉珂 刘明焦 何宏家 
本文通过测量ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层）的Ｘ射线回摆曲线ＦＷＨＭ，与抛光晶片的ＴＥＭ观测相结合，作出晶片回摆曲线ＦＷＨＭ的比率Ｒ与ＴＥＭ观测的晶片亚表面损伤层厚度Ｄ的关系曲线，建立了一种...
关键词：SI-砷化镓 抛光晶片 亚表面损伤层 定量检测 
Sl-GaAs单晶的热稳定性研究
《固体电子学研究与进展》1991年第3期241-244,共4页曹福年 杨锡权 刘巽琅 吴让元 惠峰 何宏家 
国家自然科学基金重大项目
SI-GaAs衬底材科的热稳定性对于用直接离子注入工艺制作GaAs场效应器件及集成电路是至关重要的.本文采用变温霍耳效应测量、光注入瞬态电流谱(OTCS)和原子吸收光谱等方法研究了热稳定性差的不掺杂LEC SI-GaAs单晶.结果表明,原子吸收光...
关键词：SI-GAAS 热稳定性 离子注入 
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