李卫

作品数：5被引量：8H指数：2
导出分析报告
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文主题：发光二极管氮化镓金属有机物化学气相沉积复合衬底俘获更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《物理》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-5
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
AlAs氧化层的Raman研究
《固体电子学研究与进展》2002年第2期193-194,214,共3页王文冲 贾海强 陈弘 王文新 李卫 黄绮 周均铭 
利用 Nomarski光学显微镜和 Raman光谱仪对分子束外延生长的 Al As层热氧化进行了系统的研究。对未氧化 ,氧化及氧化加原位退火的样品分析表明 ,目前氧化热稳定性差的主要因素是随氧化进行而产生的可挥发性产物如 As、As2 O3在氧化层中...
关键词：RAMAN 分子束外延 砷化铝 氧化 分子束外延 热稳定性 退火 崩裂 
GaAsSOI衬底上PHEMT器件特性演示
《固体电子学研究与进展》2002年第2期238-240,共3页贾海强 陈弘 王文冲 王文新 李卫 黄绮 周均铭 
利用分子束外延生长了 Ga As/Al As/Ga As夹层结构材料 ,通过侧向湿法热氧化技术 ,成功制作了Ga As SOI衬底 ,并在其上生长了 PHEMT材料结构。X射线双晶摇摆曲线分析证明材料结构完整 ,晶体质量良好。器件结果显示了优良的 I-V特性 ,零...
关键词：GAAS SOI衬底 分子束外延 氧化 赝配高电子迁移率晶体管 砷化镓 侧向湿法 
纳米器件的制备、表征及其应用被引量：1
《物理》2002年第1期4-6,共3页王太宏 赵继刚 傅英 李宏伟 李卫 王春花 王振霖 庞科 刘淑琴 符秀丽 
国家自然科学基金 (批准号 :6 992 5 410 1990 40 15 )
利用建立的常规光刻法的纳米加工工艺系统 ,研制碳纳米管晶体管、单电子晶体管和单电子晶体集成的纳米器件 .研制出了 90K的单电子晶体管 ,实现了两单电子晶体管的电容耦合集成。
关键词：纳米器件 碳纳米管晶体管 单电子晶体管 纳米加工 制备 表征 
纳米结构的制备及单电子器件研究被引量：5
《物理》2001年第1期3-5,共3页王太宏 李宏伟 贾海强 李卫 黄绮 周均铭 
国家自然科学基金(批准号:69925410;19904015)
建立了单电子器件的制备工艺和单电子器件的分析、测量系统 ,研究了有潜在应用价值的纳米结构加工技术 ,制备了适合光电集成的多种纳米结构 ,发展了常规光刻法制备单电子器件的多种技术 .其中 ,在生命科学和信息领域有着广泛应用的“纳...
关键词：单电子晶体管 纳米加工技术 量子点 纳米结构 
宽带3—5μm量子阱红外探测器的研制被引量：2
《Journal of Semiconductors》2000年第12期1220-1223,共4页李宏伟 李卫 黄绮 周均铭 
采用分子束外延方法在 Ga As衬底上生长了 n型掺杂的应变 In Ga As/Al Ga As多量子阱结构 ,制作成 3— 5μm波段的量子阱红外探测器 ,响应峰值波长 λp=4.2 μm,响应带宽可达 Δλ/λ=50 % ,50 0 K黑体探测率 D*BB(50 0 ,1 0 0 0 ,1 )达...
关键词：量子阱红外探测器 探测率 INGAAS/ALGAAS 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部