马永吉

作品数：1被引量：7H指数：1
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供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文主题：辐照效应4H-SIC肖特基势垒二极管NIΓ射线肖特基更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《物理学报》更多>>
所获基金：西安应用材料创新基金国家自然科学基金更多>>
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Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线辐照效应被引量：7
《物理学报》2009年第4期2737-2741,共5页张林 张义门 张玉明 韩超 马永吉 
国家自然科学基金(批准号:60606022);西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200702)资助的课题~~
对制备的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)进行了γ射线辐照试验,并在辐照过程中对器件分别加0和-30V偏压.经过1Mrad(Si)总剂量的γ射线辐照后,不同辐照偏压下的Ni/4H-SiC肖特基接触的势垒高度和理想因子没有退化,SiC外延层中的少子寿命...
关键词：碳化硅 肖特基 辐照效应 偏压 
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