周志文

作品数：31被引量：60H指数：5
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发文主题：锗光电探测器SI基衬底N型更多>>
发文领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>
发文期刊：《电子世界》《科技信息》《物理学报》《物理》更多>>
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张应变和N型掺杂对锗能带结构的调节
《深圳信息职业技术学院学报》2017年第3期59-63,共5页周志文 郭海根 李世国 沈晓霞 王颖 
广东省高等学校优秀青年教师项目(Yq2014123)
基于体锗的能带结构,从理论上计算分析了张应变和N型掺杂对锗能带结构的调节。张应变使价带和导带的能级分裂、偏移,N型掺杂使费米能级偏移,从而将锗调节为准直接带隙材料。当单独引入0.018的张应变时,锗变为准直接带隙,直接带隙为0.53 ...
关键词：锗 张应变 N型掺杂 能带 发光器件 
张应变锗薄膜制备技术的研究进展
《半导体技术》2017年第3期161-168,189,共9页周志文 李世国 沈晓霞 
广东省高等学校优秀青年教师项目(Yq2014123)
由于与硅集成电路工艺兼容的张应变锗薄膜在光电器件如光电探测器、调制器,特别是发光器件中具有潜在的应用前景,使其得到了广泛关注。然而,在锗薄膜中引入可控的、大的张应变是个挑战。综述了张应变锗薄膜制备技术的研究进展,重点介绍...
关键词：张应变 锗薄膜 外延 硅衬底 光电子 
Si基Ge波导共振腔增强型光电探测器的制备和特性研究被引量：1
《光电子．激光》2016年第12期1281-1285,共5页陈荔群 蔡志猛 周志文 
福建省中青年教师教育科研(JA15654)资助项目
采用低温缓冲层技术,在硅（Si）衬底上生长了质量 优良的锗（Ge）薄膜。Ge层受到由于Si和Ge热膨胀系数不同引入张应变,大小约为0. 16%。以 外延的Ge层作为吸收区,前后以Ge/空气作为分布布拉格反射镜（DBR）,在Si基上制备波导共 振腔增强...
关键词：锗(Ge) 波导探测器 共振增强效应 
数控直流稳压电源的设计与仿真
《电子世界》2016年第21期127-129,共3页周志文 
广东省高等学校优秀青年教师项目(Yq2014123)
设计了一种数控直流稳压电源。该电源包括：计数控制、译码显示、数模转换、稳压输出等部分。理论分析了直流稳压电源的电路组成及工作原理,采用Multisim10软件对电路特性进行了仿真分析。结果表明,数控直流稳压电源输出电压的调节范围...
关键词：直流稳压电源 数控 设计 仿真 
界面层对金属与n型Ge接触的影响
《半导体技术》2016年第3期192-197,共6页周志文 叶剑锋 李世国 
广东省高等学校优秀青年教师资助项目(Yq2014123);深圳市科技计划资助项目(JCYJ20120821162230170)
通过理论计算,对比分析了不同界面层对金属与n型锗(Ge)接触的影响。结果表明,界面层有利于降低费米能级钉扎效应,使金属与n型Ge接触的电子势垒高度降低。然而,由于界面层与Ge的导带之间存在带阶,界面层额外增加了不利的隧穿电阻。优化...
关键词：界面层(IL) 锗 金属-锗接触 肖特基势垒高度 比接触电阻率 
硅衬底上锗外延层的生长被引量：2
《半导体技术》2016年第2期133-137,共5页周志文 沈晓霞 李世国 
广东省自然科学基金(S2013010011833);广东省高等学校优秀青年教师项目(Yq2014123);深圳市科技计划项目(JCYJ20120821162230170)
利用超高真空化学气相沉积系统,基于低温Ge缓冲层技术,研究了Si衬底上高质量Ge外延层的生长。结果表明,低温Ge缓冲层的表面起伏较大,降低生长温度并不能抑制三维岛状生长。然而,低温Ge缓冲层的压应变几乎被完全弛豫,应变弛豫度达到90%...
关键词：锗外延层 低温缓冲层技术 应变驰豫度 硅衬底 表面形貌 
压应变SiGe和张应变Si的能带结构研究
《固体电子学研究与进展》2016年第1期1-5 59,共6页周志文 叶剑锋 李世国 
广东省高等学校优秀青年教师资助项目(Yq2014123);深圳市科技计划资助项目(JCYJ20120821162230170)
根据体Si和体Ge的能带结构特点,基于形变势理论,计算了SiGe合金的应变对其能级的影响。静压应变导致能级偏移,单轴应变导致简并能级分裂,使得应变SiGe合金的禁带宽度随应变的增加而减小。共度生长在体Si衬底上的SiGe合金,以及共度生长在...
关键词：SIGE合金 应变 能带结构 形变势理论 
降低金属与n型Ge接触电阻方法的研究进展
《半导体技术》2016年第1期10-15,31,共7页周志文 沈晓霞 李世国 
广东省自然科学基金资助项目(S2013010011833);深圳市科技计划资助项目(JCYJ20120821162230170);广东省高等学校优秀青年教师资助项目(Yq2014123)
Ge材料中n型杂质激活的电子浓度偏低,以及费米能级钉扎效应导致的金属与n型Ge接触电子势垒高度偏大,使金属与n型Ge接触电阻较大。基于Ge的材料特性,分析了缺陷对杂质浓度以及费米能级钉扎对电子势垒高度的影响;综述了提高Ge材料中n型掺...
关键词：锗(Ge) N型掺杂 金属-界面层-半导体接触 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 接触电阻 
低温锗量子点缓冲层技术生长硅锗弛豫衬底研究
《深圳信息职业技术学院学报》2015年第3期5-10,共6页周志文 叶剑锋 李世国 
深圳市科技计划项目(No.JCYJ20120821162230170);广东省高等学校优秀青年教师项目(Yq2014123)
为了提高生长在硅衬底上的硅锗弛豫衬底的质量,提出了低温锗量子点缓冲层技术,分析了该技术在应变弛豫的促进,表面形貌的改善,位错密度的降低等方面的作用机理。基于低温锗量子点缓冲层技术,利用超高真空化学气相淀积系统,在硅衬底上生...
关键词：硅锗弛豫衬底 低温锗量子点缓冲层 生长 
InAs/InP量子点激光器中欧姆接触合金层特性研究被引量：3
《光电子．激光》2015年第1期30-34,共5页李世国 龚谦 曹春芳 王新中 沈晓霞 周志文 张卫丰 范金坪 
国家自然科学基金(62104058);广东省自然科科学基金(S2013010011833);深圳市科技创新计划(JCYJ20130401095559823)资助项目
合金层与InAs/InP量子点激光器的接触电阻对激光器的性能有很大影响,而接触电阻的大小与合金材料、退火温度和退火时间有关。本文采用Au/Ni/Au/Ge做InAs/InP量子点激光器的欧姆接触合金层,通过改变退火温度和退火时间调节量子点激光器...
关键词：量子点 激光器 接触电阻 合金化 
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