曾天志

作品数：2被引量：7H指数：1
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一种新颖的功率MOSFET SPICE宏模型被引量：1
《微电子学》2006年第4期407-410,共4页曾天志 张波 罗萍 蒲奎 赵露 
提出了一种新颖的功率MOSFET宏模型结构,详细介绍了宏模型建立的整个流程;并将此模型的仿真结果与实验数据进行比较,验证了模型的精度。此模型考虑了功率MOSFET必要的二阶效应,并采用行为级模型来处理JFET电阻。
关键词：功率MOSFET 宏模型 二阶效应 JFET电阻 行为级模型 
减小VDMOS密勒电容和反向恢复电荷的研究被引量：6
《微电子学》2005年第3期305-307,共3页肖志强 向军利 衡草飞 陈林 曾天志 陈万军 张波 
提出了在VDMOSFET中减小密勒电容和反向恢复电荷的一种新结构,该结构结合了肖特基接触和分段多晶硅栅的方法。数值分析仿真结果表明,在相同器件单元尺寸下,该结构优于常规VDMOSFET,密勒电容Cgd可减少73.25%,Qgd和导通电阻优值减小65.02%...
关键词：VDMOS FET 栅电荷 密勒电容 导通电阻 反向恢复电荷 
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