林璇英

作品数：69被引量：240H指数：9
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供职机构：汕头大学理学院物理系更多>>
发文主题：多晶硅薄膜H多晶硅射频辉光放电非晶硅薄膜更多>>
发文领域：理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>
发文期刊：《物理通报》《材料研究与应用》《功能材料》《材料研究学报》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
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射频功率对微晶硅薄膜微结构和光电性能的影响被引量：1
《真空》2012年第4期83-86,共4页陈城钊 林璇英 
国家重点基础研究发展计划(批准号:G2000028208);韩山师范学院青年科研基金(批准号:0503)
采用射频等离子体增强化学气相沉积(rf-PECVD)技术,在玻璃和硅衬底上沉积微晶硅(μc-Si:H)薄膜。利用拉曼光谱、AFM和电导率测试对不同射频功率下沉积的薄膜的结构特性及光电性能进行分析。研究表明:随着射频功率的增加,薄膜的晶化率和...
关键词：微晶硅薄膜 射频功率 拉曼光谱 暗电导率 
用PECVD技术低温低氢稀释快速生长纳米晶硅薄膜的研究被引量：1
《功能材料》2009年第3期483-485,共3页黄锐 林璇英 余云鹏 林揆训 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(G2000028208)
以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在300℃的低温下,研究不同的氢流量对纳米晶硅薄膜生长特性的影响。实验发现,氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH4/H2,在一定功率下,薄膜的晶化率随氢流量的减小而增加;而薄膜的生长速...
关键词：纳米晶硅薄膜 SiCl4 生长速率 晶化度 
纳米晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析被引量：9
《物理学报》2009年第4期2565-2571,共7页陈城钊 邱胜桦 刘翠青 吴燕丹 李平 余楚迎 林璇英 
国家重点基础研究发展计划(批准号:G2000028208);韩山师范学院青年科研基金(批准号:0503)资助的课题~~
采用传统射频等离子体化学气相沉积技术在100—350℃的衬底温度下高速沉积氢化硅薄膜.傅里叶变换红外光谱和Raman谱的研究表明,纳米晶硅薄膜中的氢含量和硅氢键合模式与薄膜的晶化特性有密切关系,当薄膜从非晶相向晶相转变时,氢的含量...
关键词：氢化纳米晶硅薄膜 红外透射谱 氢含量 硅氢键合模式 
氢稀释对高速生长纳米晶硅薄膜晶化特性的影响被引量：6
《物理学报》2009年第1期565-569,共5页邱胜桦 陈城钊 刘翠青 吴燕丹 李平 林璇英 黄翀 余楚迎 
韩山师范学院基金(批准号:FC200508)资助的课题~~
以SiH4与H2为气源,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的压强(230Pa)下,研究氢稀释率对纳米晶硅薄膜的生长速率和晶化特性的影响.实验表明,薄膜的晶化率,晶粒尺寸随着氢稀释率的提高而增加,当氢稀释率为99%,薄膜的晶化率接近7...
关键词：纳米晶硅薄膜 氢稀释 晶化率 硅烷 
PECVD法低温制备纳米晶硅薄膜晶化特性的Raman分析被引量：1
《材料研究与应用》2008年第4期428-431,共4页邱胜桦 陈城钊 刘翠青 吴燕丹 李平 林璇英 
韩山师范学院扶持基金资助的课题(FC200508)
以SiH4与H2为气源,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较低的温度(200℃)和较高的压强(230 Pa)下,在普通的玻璃衬底上制备出沉积速率达8×10-10m/s,晶化率大于60%的纳米晶硅薄膜.利用Raman谱分析硅烷浓度和射频功率对纳米晶硅薄...
关键词：纳米晶硅薄膜 晶化率 RF-PECVD RAMAN谱 
SiCl_4/H_2为气源低温沉积多晶硅薄膜光电特性的研究被引量：1
《材料研究与应用》2008年第4期437-440,共4页刘丽娟 罗以琳 林璇英 
国家重点基础研究发展规划项目资助的课题(G2000028208)
采用PECVD技术,通过改变射频功率制备了晶化率不同的多晶硅薄膜.对多晶硅材料光照稳定性的研究表明,晶化率较低的多晶硅稳定性好于普通非晶硅材料,但仍然存在着光衰减;晶化率较高的多晶硅材料显示出稳恒光电导效应,不存在光衰退现象;光...
关键词：多晶硅薄膜 持续性光电导 晶化率 
优质纳米晶硅薄膜的低温制备技术及其在太阳能电池中的应用进展
《材料研究与应用》2008年第4期450-454,共5页陈城钊 邱胜桦 刘翠青 吴燕丹 李平 余楚迎 林璇英 
韩山师范学院青年科研基金资助项目(0503)
纳米晶硅薄膜是集晶体硅材料和氢化非晶硅薄膜优点于一体,可望广泛应用于薄膜太阳能电池、光存储器、发光二极管和薄膜晶体管等光电器件的一种新型功能材料.本文综述低温制备优质纳米晶硅薄膜技术的研究进展及其在薄膜硅太阳能电池上的...
关键词：纳米晶硅薄膜 太阳能电池 低温制备 进展 
衬底温度对纳米晶硅薄膜微结构的影响
《材料研究与应用》2008年第4期475-478,共4页刘翠青 陈城钊 邱胜桦 吴燕丹 李平 余楚迎 林璇英 
韩山师范学院青年科研基金资助项目(0503);韩山师范学院扶持科研课题项目(FC200508)
采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压130 Pa和较高的射频功率70 W下,在高于100℃低温下,以0.14 nm/s速率制备出优质的纳米晶硅薄膜.研究结果表明,衬底温度对薄膜晶化率、表面的粗糙度和沉积速率影响很大.当衬...
关键词：纳米晶硅薄膜 衬底温度 微结构 沉积速率 
低温高压快速生长纳米晶硅薄膜中氢的作用
《功能材料》2008年第11期1839-1842,共4页邱胜桦 陈城钊 刘翠青 吴燕丹 李平 林璇英 黄翀 余楚迎 
韩山师范学院扶持科研课题资助项目(FC200508);韩山师范学院青年科研基金资助项目(0503)
以SiH4/H2为气源,用PECVD沉积技术,在低温(200℃)、高压下(230Pa)下制备出优质纳米晶硅薄膜。研究氢在高速生长纳米晶硅薄膜材料中的作用。实验表明,氢对纳米晶硅薄膜的高速生长起到非常关键的作用。随着氢稀释率由95%提高至99%,薄膜的...
关键词：纳米晶硅薄膜 氢稀释 晶化率 RF-PECVD 
射频PECVD法高压快速制备纳米晶硅薄膜被引量：4
《功能材料》2008年第5期848-850,共3页陈城钊 邱胜桦 刘翠青 吴燕丹 李平 余楚迎 林璇英 
韩山师范学院青年科研基金资助项目(0503)
采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术，在较高的工作气压（133～266Pa）下，以0．4nm／s速率制备出优质的氢化纳米晶硅薄膜。薄膜的晶化率约60％，平均晶粒尺寸约6．0nm，暗电导率为10^-3～10^-4／Ω·cm。红外吸收谱显示，薄...
关键词：纳米晶硅薄膜 RF-PECVD 生长速率 
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