王桂磊

作品数：4被引量：7H指数：2
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：半导体器件沟道衬底载流子迁移率栅极更多>>
发文领域：电子电信金属学及工艺一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《真空科学与技术学报》《微纳电子技术》《微纳电子与智能制造》更多>>
所获基金：国家科技重大专项广东省科技计划工业攻关项目国家自然科学基金更多>>
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CVD外延锗锡及其光电探测器最新研究进展被引量：1
《微纳电子与智能制造》2021年第1期129-135,共7页苗渊浩 王桂磊 孔真真 赵雪薇 芦宾 董林鹏 RADAMSON H H 
国家自然科学基金重大研究计划(92064002)重点支持;广东省科技计划(2019B090909006)项目资助。
锗锡具有吸收系数高、直接带隙发光效率高、可用CVD生长、器件制备与硅工艺兼容等优势,是非常重要的硅基光电子材料。锗锡CVD生长技术及其探测器在理论意义和长远的军民用价值,受到欧美军事部门及政府机构的广泛资助。综述了锗锡CVD生...
关键词：锗锡 CVD 探测器 硅工艺兼容 
高性能波导集成型锗pin光电探测器的制备被引量：3
《微纳电子技术》2018年第5期305-311,共7页刘道群 李志华 冯俊波 唐波 张鹏 王桂磊 
国家科技重大专项(2017ZX02315004)
采用CMOS兼容工艺,在绝缘体上硅（SOI）晶圆片上制备了高性能波导集成型锗pin光电探测器。该光电探测器锗区长度为15μm,宽度分别为1,2,3,4和5μm。光波导与探测器间的光耦合为倏逝波耦合。为了进一步提高探测器的性能,在结构设计上采...
关键词：光电探测器 波导集成 选择性外延 锗(Ge) PIN 绝缘体上硅(SOI) 
面向5 nm CMOS技术代堆叠纳米线释放工艺研究被引量：2
《真空科学与技术学报》2018年第2期121-126,共6页曹志军 张青竹 吴次南 闫江 王桂磊 李俊杰 张兆浩 殷华湘 余金中 李志华 
02重大科技专项(No.2013ZX02303007,2013ZX02303001); 国家重点研发计划(No.2016YFA0301701)
针对5 nm CMOS技术代亟待解决的纳米线释放难题,通过实验探究了HF(6%)∶H_2O_2(30%)∶CH_3COOH(99.8%)=1∶2∶3的混合溶液放置时间对纳米尺度外延堆叠GeSi/Si/GeSi/Si结构释放影响。混合溶液放置时间在48 h内,GeSi层的腐蚀速率会随着溶...
关键词：GESI HF-H2O2-CH3COOH溶液 纳米线 CH3COOH 
硅基锗薄膜的选择性外延生长被引量：2
《微纳电子技术》2017年第2期136-141,共6页吴细鹏 王桂磊 李志华 唐波 张青竹 吴次南 闫江 
采用减压化学气相沉积(RPCVD)系统,通过调节GeH4和刻蚀性气体HCl的通入速率,在Si/SiO2图形衬底上利用40 nm薄低温Ge缓冲层选择性外延生长Ge薄膜,然后H2退火20 min以减少外延Ge层中的位错及缺陷。采用化学腐蚀方法检查位错坑密度,利用扫...
关键词：减压化学气相沉积(RPCVD) 选择性外延 锗(Ge) 硅基探测器 光电器件 
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