蒋志

作品数：21被引量：10H指数：2
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用虚拟制造设计低压功率VDMOS被引量：3
《半导体技术》2004年第5期72-74,77,共4页夏宇 王纪民 蒋志 
采用虚拟制造方法设计了低压功率VDMOS器件,并对其进行结构参数、物理参数和电性能参数的模拟测试,确定了器件的物理结构。通过对这些参数和电学特性的分析,进一步优化设计,最终获得了满意的设计参数和性能。
关键词：虚拟制造 低压功率VDMOS器件 结构参数 物理参数 电性能参数 电学特性 优化设计 
光纤传输系统中互相位调制和受激拉曼散射串扰噪声的比较研究 Ⅰ——单级传输系统
《光学学报》2003年第7期834-839,共6页蒋志 范崇澄 
在密集波分复用强度调制直接检测光纤系统中 ,导出了包含互相位调制和受激拉曼散射共同作用的强度/相位矩阵表达式。在计算强度噪声谱的基础上 ,研究了互相位调制和受激拉曼散射的相互耦合并用于密集波分复用系统的噪声分析。分析表明 ...
关键词：光纤传输系统 互相位调制 受激拉曼散射 串扰噪声 光纤通信 密集波分复用系统 
光纤传输系统中互相位调制和受激拉曼散射串扰噪声的比较研究Ⅱ——级联传输系统
《光学学报》2003年第8期937-940,共4页蒋志 范崇澄 
在具有级联光放大器的密集波分复用强度调制直接检测光纤系统中 ,导出了包含互相位调制和受激拉曼散射共同作用的强度 /相位矩阵表达式。在计算强度噪声谱的基础上 ,研究了互相位调制和受激拉曼散射的相互耦合并用于密集波分复用系统的...
关键词：光纤传输系统 互相位调制 受激拉曼散射 串扰噪声 密集波分复用系统 光纤通信 
光纤系统中的普适弱调制传输矩阵及其在噪声演化分析中的应用
《电子学报》2002年第9期1257-1261,共5页蒋志 范崇澄 
本文在总结文献中己有工作的基础上,给出了光纤传输系统中普适的频域弱强度/相位调制的传输矩阵H,包含了光纤中各阶色散、非线性和光纤损耗的影响 指出奇数阶色散仅对矩阵分量的幅频特性产生影响,而偶数阶色散仅对矩阵分量的相频特性产...
关键词：普适 传输矩阵 演化分析 弱调制 强度噪声 相位噪声 色散 非线性 光纤通信 
低功耗CMOS工艺中NMOS管阈值电压偏移的研究
《微电子学》2002年第3期175-177,共3页袁庆洪 蒋志 
研究了在 LPLV CMOS工艺中 ,用表面沟 PMOS管工艺使 NMOS管的阈值电压发生偏移的问题。在使用表面沟 PMOS管的 LPLV CMOS工艺中 ,NMOS管的多晶栅中的杂质不能达到均匀的分布 ,导致阈值电压发生偏移。文章提出了三个解决方案 。
关键词：低功耗CMOS工艺 NMOS管 阈值电压偏移 集成电路 
光纤通信系统中色散与自相位调制作用下的频域传递函数被引量：1
《光学学报》2001年第11期1296-1300,共5页蒋志 范崇澄 
由基本物理过程出发 ,导出了数字或模拟强度调制光通信系统中 ,包含光纤损耗、色散和自相位调制综合作用下的光功率频域传递函数 ,由此得到了任意功率波形在传输过程中的演化表达式及各项的物理意义。结果表明 ,自相位调制导致的功率变...
关键词：自相位调制 频域传递函数 光纤通信 色散 非线性效应 
应用于EEPROM的超薄SiO_2TDDB特性的研究
《微电子学》1999年第3期187-189,199,共4页薛刚 吴正立 蒋志 曾莹 朱钧 
阐述了应用于ＥＥＰＲＯＭ中的超薄隧道氧化层随时间的击穿特性。比较和分析了不同的可靠性测试方法，并对超薄氧化层生长工艺的优化进行了探讨。
关键词：半导体工艺 EEPROM 超薄SiO2 TDDB 
FLASH存储单元擦写过程中的电流分析被引量：1
《微电子学与计算机》1999年第3期32-35,共4页刘寅 朱钧 曾莹 蒋志 
文章将讨论不挥发存储器单元－ＦＬＡＳＨ的擦写过程，包括对擦写原理的描述，重点对其擦写过程中的电流进行分析，建立了适用于该单元的电流模型，并结合本所工艺线的实验单元进行测试，对所建立的模型和理论进行验证。
关键词：FLASH 擦写过程 电流模型 存储单元 
FLOTOX EEPROM存储管的简单模型分析和实验研究被引量：2
《微电子学》1997年第5期314-318,共5页吴君华 吴正立 蒋志 王勇 乔中林 朱钧 
分析了ＦＬＯＴＯＸＥＥＰＲＯＭ的简单电容模型和擦写特性。实验研究了不同的器件结构参数和擦写脉冲对存储管特性的影响，表明隧道氧化层和多晶之间介质层的厚度对ＥＥＰＲＯＭ阈值窗口有很大的影响，采用指数上升波形或三角波形进行...
关键词：数字集成电路 硅器件 存储器 EEPROM 
基于WN_x的金属化系统研究被引量：1
《微电子学》1997年第4期254-257,共4页施戈 张树红 蒋志 
报道了扩散阻挡层材料氮化钨的结构特性随组分变化的情况。以二极管反向特性为主要检测手段，考察了基于氮化钨的Ａｌ／ＷＮ＿ｘ和Ａｌ／ＷＮ＿ｘ／Ｔｉ系统的热稳定性，发现Ａ１／ＷＮ，系统可以承受５５０”Ｃ、３０ｍｉｎ的退火，氮...
关键词：半导体器件 金属化 可靠性 半导体物理 
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