高铭洁

作品数：4被引量：5H指数：1
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供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文主题：SIGE_HBT高频特性小信号等效电路模型电路模型锗硅合金更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微电子学》《中国集成电路》《半导体技术》更多>>
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锗硅低噪声放大器的研究进展
《半导体技术》2005年第2期47-50,43,共5页李振国 陈建新 高铭洁 
北京市自然科学基金资助(4032005)
介绍了采用锗硅技术的低噪声放大器的基本理论,给出了一个2GHz低噪声放大器的例子,并总结了近来采用锗硅技术的各种频段的低噪声放大器研究情况。最后,介绍了锗硅技术的广阔应用前景。<正>The theory of LNAs using SiGe bipolar techno...
关键词：锗硅双极性异质结晶体管 低噪声放大器:射频集成电路 
基于小信号等效电路模型的SiGe HBT高频特性模拟分析被引量：5
《微电子学》2005年第1期1-4,共4页杨维明 陈建新 史辰 李振国 高铭洁 
北京市自然科学基金资助项目(4032005)
给出了fT为15 GHz的SiGe HBT器件的高频小信号等效电路模型;运用微波网络理 论,在Matlab软件平台上模拟出器件的S参数和H21参数曲线,模拟结果与实测结果相吻合;根据 电路的拓扑结构,分析了管壳封装带来的寄生参数对器件高频性能的影响;...
关键词：锗硅合金 异质结双极晶体管 电路模型 模拟 
Si/SiGe异质结晶体管的参数提取与特性模拟
《半导体技术》2004年第11期41-44,共4页杨维明 陈建新 邹德恕 史辰 李振国 高铭洁 
北京市自然科学基金资助项目(4032005)
用实验测量和理论计算相结合的方法提取了Si/SiGe 异质结晶体管的直流和高频参数,分别在PSPICE和MATLAB软件平台上模拟并分析了器件的直流和高频特性,模拟结果与实际测量的结果相吻合,表明本文的提取方法可行、参数提取结果有效。
关键词：异质结晶体管 PSPICE MATLAB 模拟 
CMOS射频接收机系统与电路
《中国集成电路》2004年第8期36-40,共5页李振国 陈建新 高铭洁 杨维明 史辰 
CMOS技术作为设计射频接收机电路的一种主要技术,正在得到广泛研究。本文首先总结了当前射频接收机的几种常用结构和主要的工作特性、参数,然后介绍了三种最新的不同结构形式的CMOS射频前端电路。
关键词：接收机电路 CMOS技术 射频前端 电路 主要技术 工作特性 系统 设计 参数 
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