刘玉岭

作品数：293被引量：681H指数：12
导出分析报告
供职机构：河北工业大学更多>>
发文主题：化学机械抛光CMP抛光液去除速率ULSI更多>>
发文领域：电子电信金属学及工艺一般工业技术化学工程更多>>
发文期刊：更多>>
所获基金：国家中长期科技发展规划重大专项国家自然科学基金河北省自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
铜CMP后清洗中表面活性剂去除颗粒的研究进展被引量：2
《半导体技术》2020年第10期775-781,795,共8页曲里京 高宝红 王玄石 檀柏梅 刘玉岭 
国家自然科学基金资助项目(61704046);国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);河北省自然科学基金资助项目(F2018202174,F2018202133)。
在集成电路制造过程中,利用化学机械抛光(CMP)去除多余的Cu以实现全局及局部平坦化。而CMP后会在晶圆表面残留大量颗粒等污染物,抛光后残留的颗粒等污染物需要通过CMP后清洗工艺将其去除。综述了清洗液中的表面活性剂对颗粒去除的作用...
关键词：化学机械抛光(CMP) 表面活性剂 CMP后清洗 颗粒去除 表面活性剂复配 
IC铜布线CMP过程中缓蚀剂应用的研究进展被引量：7
《半导体技术》2019年第11期863-869,共7页王玄石 高宝红 曲里京 檀柏梅 牛新环 刘玉岭 
国家自然科学基金资助项目(61704046);国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);河北省自然科学基金资助项目(F2018202174,F2018202133)
化学机械抛光(CMP)是集成电路(IC)制造过程中的一种基本工艺。在铜CMP过程中,缓蚀剂在获得全局平面化和防止腐蚀方面起着关键作用。阐述了常用的缓蚀剂--苯并三氮唑(BTA)在抛光液中的应用,并指出BTA由于其本身的局限性已经难以适应IC发...
关键词：缓蚀剂 化学机械抛光(CMP) 苯并三氮唑(BTA) 结构性损伤 电偶腐蚀 
阻挡层抛光液中助溶剂和H2O2对铜残留缺陷的影响被引量：1
《半导体技术》2018年第11期852-857,共6页胡轶 张凯 何彦刚 刘玉岭 
新疆维吾尔自治区自然科学基金资助项目(2017D01A53)
针对化学机械抛光（CMP）过程中的铜残留缺陷问题,研究了一种在FA/O阻挡层抛光液中添加助溶剂和H2O2的新型阻挡层抛光液。分别考察助溶剂和H2O2对SiO2介质和铜去除速率的影响以及对碟形坑和蚀坑的修正能力,通过扫描电子显微镜（SEM）观...
关键词：化学机械抛光(CMP) 铜残留 缺陷 碟形坑 蚀坑 
区熔硅单晶中的漩涡缺陷及其影响因素
《电子工业专用设备》2018年第5期50-54,共5页邢友翠 闫萍 刘玉岭 李万策 
因生长时工艺条件的不同,区熔硅单晶中的微缺陷类型及分布会呈现出不同的变化。对单晶生长工艺中影响缺陷形成的相关因素进行了分析,并给出了不同工艺条件下单晶中漩涡缺陷的宏观分布状态以及所对应缺陷的微观形貌。单晶生长实验结果表...
关键词：区熔工艺 硅单晶 漩涡缺陷 
FA/O阻挡层抛光液在铜布线平坦化中的应用
《半导体技术》2018年第10期766-770,776,共6页胡轶 何彦刚 刘玉岭 
国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);自治区高校科研计划青年教师科研启动金项目(XJEDU2016S064)
研发了一种FA/O阻挡层抛光液,主要成分包含硅溶胶、螯合剂和FA/O非离子型表面活性剂。使用该阻挡层抛光液进行了铜、阻挡层（Ta）和介质层（TEOS-SiO2）的去除速率选择性实验,实验表明,FA/O阻挡层抛光液对Cu的去除速率较低,对Ta和SiO2...
关键词：化学机械抛光(CMP) FA/O阻挡层抛光液 介质层电学性能 碟形坑 蚀坑 
碱性多羟多胺螯合剂对Cu CMP后BTA去除作用及机理被引量：4
《半导体技术》2018年第4期291-295,共5页高宝红 檀柏梅 车佳漭 刘宜霖 杨柳 刘玉岭 
国家自然科学基金资助项目(61704046);国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);河北省博士后科研项目择优资助项目(B2015003010)
苯并三唑（BTA）在微电子领域常被用于铜抛光液中的抗蚀剂,抛光后的BTA残留需要通过化学机械抛光（CMP）后清洗工序从晶圆表面去除,否则会影响器件的性能。通过实验研究了碱性多羟多胺类螯合剂对抛光后晶圆表面残留BTA的去除效果及机理...
关键词：化学机械抛光(CMP) 多羟多胺螯合剂 碱性清洗 苯并三唑(BTA) 去除机理 
不同络合剂对铜布线CMP抛光液性能的影响被引量：5
《微纳电子技术》2018年第3期201-205,223,共6页刘国瑞 刘玉岭 栾晓东 王辰伟 牛新环 
国家中长期科技发展规划科技重大专项(2016ZX02301003);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247);河北省自然科学基金青年基金资助项目(F2015202267);河北省教育厅科研基金资助项目(QN2014208);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100)
分别选用FA/O螯合剂和甘氨酸作为络合剂配置铜布线CMP抛光液,研究对比了两种抛光液的抛光速率、静态腐蚀溶解速率、平坦化以及稳定性。速率实验表明,抛光液中加入FA/O螯合剂和甘氨酸都可以显著提高铜的抛光速率,基于甘氨酸配置的抛光液...
关键词：FA/O螯合剂 平坦化 稳定性 甘氨酸 缓蚀剂 
CMP中TEOS去除速率的一致性被引量：5
《微纳电子技术》2017年第9期639-644,共6页张凯 刘玉岭 王辰伟 牛新环 江自超 韩丽楠 
国家中长期科技发展规划重大专项资助项目(2009ZX02308);河北省自然科学基金青年基金资助项目(F2015202267);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100);河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007)
针对300 mm正硅酸乙酯(TEOS)镀膜片在化学机械平坦化(CMP)过程中中心去除速率快而边缘去除速率慢的问题,研究了抛光头摆动位置、抛光头不同区域压力和非离子型表面活性剂对TEOS去除速率一致性的影响。实验结果显示,抛光头距抛光盘中心越...
关键词：正硅酸乙酯(TEOS) 化学机械平坦化(CMP) 非离子型表面活性剂 去除速率一致性 片内非均匀性(WIWNU) 
多层铜布线CMP后BTA去除和铜表面腐蚀抑制被引量：1
《微纳电子技术》2017年第8期553-557,564,共6页唐继英 刘玉岭 王辰伟 洪姣 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);国家自然科学基金资助项目(61504037);河北省教育厅资助科研项目(QN2014208);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247);河北省自然科学基金青年基金资助项目(F2015202267);河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007)
有机残余(主要是苯并三氮唑(BTA))和铜表面腐蚀是多层铜布线化学机械抛光(CMP)后晶圆缺陷中的两个重要问题,针对BTA去除和铜表面腐蚀抑制提出了一种新的碱性清洗剂。该清洗剂主要由FA/O螯合剂和FA/O表面活性剂组成。FA/O螯合剂对于去除...
关键词：化学机械抛光(CMP)后清洗 苯并三氮唑(BTA)去除 铜腐蚀 螯合剂 表面活性剂 
阻挡层CMP中铜钴电偶腐蚀的影响因素被引量：2
《微纳电子技术》2017年第7期492-498,504,共8页付蕾 刘玉岭 王辰伟 张文倩 马欣 韩丽楠 
国家科技重大专项子课题资助项目(2016ZX02301003-004-007);河北省自然科学基金青年基金资助项目(F2015202267);河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007);天津市电子材料与器件重点实验室资助项目
在Co化学机械抛光(CMP)过程中,Co的化学反应活性强于Cu,Co/Cu界面存在较大的电化学腐蚀电位差。采用动电位扫描电化学技术,表征金属铜钴表面的电化学反应。采用降低Cu/Co接触腐蚀电位差的方法,表征铜钴电偶腐蚀。研究了阻挡层CMP中影响...
关键词：钴 铜 电化学 电偶腐蚀 化学机械抛光(CMP) H2O2 
全选清除导出
共30页<12345678910>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部