宋黎红

作品数：5被引量：1H指数：1
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发文主题：GANX射线衍射磁性半导体位错XRD更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《半导体技术》《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划江苏省创新学者攀登项目更多>>
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采用高分辨XRD确定AlxGa1-xN／GaN异质结的应变状态
《中国科学（G辑）》2009年第11期1623-1627,共5页谢自力 张荣 张彤 周元俊 刘斌 张曾 李弋 宋黎红 崔颖超 傅德颐 修向前 韩平 施毅 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划(编号:2006CB6049);国家高技术研究发展规划(编号:2006AA03A118,2006AA03A142);国家自然科学基金(批准号:60721063,60676057,60731160628,60776001,60820106003);江苏省自然科学基金(编号:BK2008019);南京大学扬州光电研究院研发基金资助项目
利用高分辨X射线衍射方法,分析了采用金属有机物汽相沉积生长的AlxGa1-xN/GaN薄膜的晶体结构和应变状态.通过(002)和(105)面的倒易空间映射,分析获得AlxGa1-xN外延层的应变程度,并且计算了不同Al组分的AlxGa1-xN在倒易空间图上的弛豫方...
关键词：高分辨X射线衍射 倒易空间图 应变 弛豫 
利用金属有机物化学气相沉积技术生长的a面GaN表面形貌和位错的研究
《物理学报》2009年第12期8506-8510,共5页崔影超 谢自力 赵红 梅琴 李弋 刘斌 宋黎红 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB6049);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A118;2006AA03A142);国家自然科学基金(批准号:60721063;60676057;60731160628;60820106003);江苏省自然科学基金(批准号:BK2008019)资助的课题~~
采用金属有机物化学气相沉积技术在r面蓝宝石衬底上制备了a面GaN薄膜,用熔融的KOH在400℃对样品分别腐蚀1.0,1.5和2.0min.用扫描电镜、原子力显微镜、X射线衍射谱和阴极射线荧光对腐蚀前后的表面形貌进行分析.研究表明,400℃下腐蚀1.5mi...
关键词：a面GaN 堆垛层错 极性 
a面GaN阴极荧光激发强度特性的研究
《半导体技术》2008年第S1期167-170,共4页崔影超 谢自力 赵红 李弋 刘斌 宋黎红 张荣 郑有炓 
国家"973"重点基础研究项目(2006CB6049);国家"863"高技术研究发展计划(2006AA03A103;2006AA03A118;2006AA03Z411);国家自然科学基金(60721063;60676057;60731160628);江苏省创新学者攀登项目(BK2008019)
对MOCVD生长的r-Al2O3上的a面GaN薄膜采取了两种方式的室温阴极荧光的测试,即固定电子束加速电压改变电子束流和固定电子束流改变加速电压。结果显示,非极性a面GaN的带边和黄带的CL强度均与电子束流呈亚线性关系,其中IBE∝I0B.46,IYL∝I...
关键词：a面GaN 阴极荧光 激发强度 
采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究
《半导体技术》2008年第S1期175-178,共4页宋黎红 谢自力 张荣 刘斌 李弋 傅德颐 张曾 崔影超 修向前 韩平 施毅 郑有炓 
国家"973"重点基础研究项目(2006CB6049);国家"863"高技术研究发展计划(2006AA03A103;2006AA03A118;2006AA03Z411);国家自然科学基金(60721063;60676057;60731160628);江苏省创新学者攀登项目(BK2008019)
利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO2(100)面上采用金属有机化学气相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、横向和垂直关联长度等,由此得到螺位错和刃位错密度...
关键词：GAN 位错 X射线衍射 有机化学气相淀积 各向异性 
Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究被引量：1
《半导体技术》2008年第S1期150-153,共4页谢自力 张荣 崔旭高 陶志阔 修向前 刘斌 李弋 傅德颐 张曾 宋黎红 崔影超 韩平 施毅 郑有炓 
国家"973"重点基础研究项目(2006CB6049);国家"863"高技术研究发展计划(2006AA03A103;2006AA03A118;2006AA03Z411);国家自然科学基金(60721063;60676057;60731160628);江苏省创新学者攀登项目(BK2008019)
利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长了Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料。原子力显微镜研究表明,少量的Mn在样品表面起到活性作用。X射线衍射和喇曼散射研究表明,当Mn的掺杂浓度很低(<2.7%)时并没有观察到第二相的出现,当Mn的掺...
关键词：金属有机物化学气相沉积 稀磁半导体 锰掺杂 X射线衍射 
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