胡善文

作品数：16被引量：28H指数：3
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一种新型提高射频功率放大器PAE的电路技术被引量：2
《固体电子学研究与进展》2011年第3期257-262,共6页郭瑜 胡善文 张晓东 高怀 
提出了一种新型提高射频功率放大器功率附加效率(PAE)的电路技术,该方法通过滤除二次谐波分量、反射叠加三次谐波分量以提高电路PAE,分析了相位匹配的机制及其影响因素。基于该技术设计了一款功率放大器,仿真结果表明:工作频率为918 MHz...
关键词：相位匹配 谐波控制 功率附加效率 功翠放大詈苷 
用于RF-LDMOS的分布式电热耦合模型
《浙江大学学报（工学版）》2011年第5期831-834,共4页孙晓红 张晓东 胡善文 戴文华 高怀 
为建立精确的RF-LDMOS大信号模型,提出分布式电热耦合模型.通过采用三维镜像法简单计算单指条的温度分布,进一步使用叠加原理计算得到多指条温度的横向分布,此模型的解析式使用热矩阵方程来表示,通过对计算结果的拟合提取热模型参数.与...
关键词：RF-LDMOS 热模型 镜像法 热电阻 
一种用于RF LDMOS功率放大器的匹配技术被引量：4
《固体电子学研究与进展》2011年第2期159-164,共6页王锋 胡善文 张晓东 高怀 
国家自然科学基金资助项目(69801003)
介绍了射频高功率放大器设计中RF LDMOS器件的预匹配和匹配技术。针对一款高功率RF LDMOS-FET,在器件法兰封装内为其设计了预匹配电路,并在PCB板级对其进行了输入输出匹配电路的设计,使其在工作频带内较好地匹配到50Ω的系统参考阻抗上...
关键词：射频横向双扩散金属氧化物场效应晶体管 等效电路模型 预匹配 输入输出匹配 
一种具有行波传输匹配网络的输入匹配电路
《微电子学》2011年第2期176-179,184,共5页陈杰 胡善文 张晓东 高怀 
提出了一种用于宽带放大器的新型输入匹配技术,给出了一种带行波传输匹配(TWM)网络的宽带共集电极输入匹配电路,对其TWM网络进行了详细分析。基于AWR软件的仿真结果表明:该TWM网络在宽频带内具有良好的输入阻抗匹配特性。采用截止频率为...
关键词：行波传输匹配网络 共集电极放大器 输入匹配 宽带放大器 
阶梯浅沟槽隔离结构LDMOS耐压机理的研究被引量：1
《微电子学与计算机》2011年第2期56-60,共5页陈文兰 孙晓红 胡善文 陈强 高怀 
提出了一种具有阶梯浅沟槽隔离结构的LDMOS.阶梯浅沟槽结构增加了漂移区的有效长度,改善了表面电场及电流的分布,从而提高了器件的击穿电压.借助器件模拟软件Silvaco对沟槽深度、栅长及掺杂浓度等工艺参数进行了优化设计.结果表明,在保...
关键词：LDMOS 漂移区 浅沟槽隔离 击穿电压 
一种解决HBT功率器件热失控的新方法被引量：1
《固体电子学研究与进展》2011年第1期56-59,64,共5页胡善文 钱罕杰 孙晓红 张晓东 高怀 
提出了一种具有强耦合作用的新型镇流电阻器网络,该镇流电阻器网络为树形拓扑结构,对其工作原理进行了详细分析。基于COMSOL MULTIPHYSICS软件的仿真结果表明:该镇流电阻器网络具有自适应功能,通过其耦合作用可以自动调整HBT并联阵列中...
关键词：镇流电阻器网络 热失控 
一种带功率检测和自适应偏置的CDMA功率放大器被引量：5
《固体电子学研究与进展》2011年第1期81-84,89,共5页梁聪 滑育楠 胡善文 张晓东 张海涛 高怀 
设计了一款包含功率检测和自适应线性化偏置电路的CDMA功率放大器,功率检测器能根据输入信号的大小来调整功率管的偏置点,大幅提升低功率输出时的效率,从而提升系统整体效率;自适应线性化偏置能有效抑制功率放大器的增益压缩和相位失真...
关键词：功率检测 自适应偏置 效率 线性度 
一种能改善GaAsHBT自热效应的复合管
《现代电子技术》2011年第2期145-147,150,共4页朱向伟 胡善文 梁聪 张晓东 高怀 
根据负反馈原理,提出一种复合管结构来补偿异质结双极型晶体管(HBT)的自热效应。仿真和测试曲线结果表明,在较宽环境温度和较大输出电流密度范围内,复合管的自热效应得到了有效抑制,静态工作点稳定,采用此复合管设计的功率放大器的1 dB...
关键词：HBT 直流偏置 自热效应 线性度 
一种高频无源元件的EM建模分析技术被引量：3
《电子科技》2011年第1期59-64,共6页薛川 梁聪 张晓东 胡善文 高怀 
采用电磁场（EM）建模的分析方法，提取了砷化镓衬底上MIM电容、方形螺旋电感和微带传输线的等效电路模型，并应用于一种π形匹配网络的设计，该模型充分考虑了衬底损耗、趋肤效应、接近效应等因素，对无源元件电特性的影响，基于GaAs...
关键词：砷化镓 无源元件 电磁仿真 等效电路模型 
集电结电容C_(BC)对HBT功率放大器非线性的影响
《电子科技》2011年第1期115-117,120,共4页丁杰 胡善文 张晓东 高怀 
GaAs HBT是设计微波单片功率放大器的主要工艺之一,而集电结电容CBC是HBT功率放大器产生非线性的主要参量。文中采用Gummel-Poon晶体管模型分析了HBTCBC随电路偏置变化的规律,给出了CBC随输入功率的变化趋势,并基于Microwave Office软...
关键词：集电结电容 异质结双极晶体管 功率放大器 非线性 
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