詹峻岭

作品数：7被引量：16H指数：2
导出分析报告
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文主题：反熔丝性能研究电离辐照FPGA延时电路更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术理学核科学技术更多>>
发文期刊：《微电子学》《电子技术应用》《核技术》《核电子学与探测技术》更多>>
所获基金：国防科技工业技术基础科研项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-7
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
反熔丝FPGA电路瞬时电离辐射效应及加固设计被引量：2
《核电子学与探测技术》2012年第11期1247-1250,共4页杜川华 詹峻岭 许献国 袁国火 
针对反熔丝FPGA电路,在"强光一号"加速器上进行了瞬时电离辐射试验,发现γ射线瞬时电离辐射会导致FPGA内部寄存器清零,使FPGA运行状态被初始化。为了解决该问题,设计了一种"FPGA+FRAM(铁电存储器)+特殊时序读写软件"的加固电路,通过γ...
关键词：反熔丝现场可编程门阵列 Γ射线 瞬时电离辐射效应 铁电存储器 信息保存与恢复 
ONO反熔丝结构的电离辐照性能研究被引量：1
《核电子学与探测技术》2010年第3期339-341,353,共4页杜川华 詹峻岭 赵洪超 朱小锋 
国防科技基础研究基金资助课题
描述了ONO反熔丝的物理结构,采用ONO薄膜传导模型分析了ONO反熔丝结构在受到电离辐照时,其内部电子-空穴的运动规律。分别对ONO反熔丝FPGA A1460A和A40MX04进行了电离辐照实验,测试了电流与辐照剂量的关系以及FPGA功能失效阈值。理论分...
关键词：ONO反熔丝 电离辐照 FPGA 电子-空穴对 
80C196单片机系统X射线剂量增强效应研究被引量：1
《微电子学》2009年第4期555-558,共4页褚忠强 徐曦 牟维兵 詹峻岭 赵刚 
研究了主要由N80C196KC20、PSD501B1和X24F128三部分组成的单片机系统在X射线辐射环境中的剂量增强效应。对系统及三部分单元电路进行了X射线和γ射线的总剂量对比辐照实验,测量了系统工作电流,同时监测196芯片和PSD芯片输出波形的变化...
关键词：单片机系统 单元电路 总剂量辐照 剂量增强效应 
模数转换器的辐射性能及其试验测试技术研究被引量：3
《电子技术应用》2009年第4期107-109,共3页王旭利 许献国 姚远程 詹峻岭 周启明 
介绍了国内外对模数转换器(ADC)抗辐射性能试验测试技术的研究现状以及相关结论。在此基础上提出实时测量模数转换器在辐射环境下工作的动态性能参数来表征器件抗辐射性能的研究思路,同时也提出了对现有模数转换器辐射性能测试系统的改...
关键词：模数转换器 抗辐射 动态参数 测试技术 
N80C196KC20芯片的X射线剂量增强效应被引量：2
《核技术》2006年第3期198-201,共4页杨怀民 徐曦 邓建红 詹峻岭 赵聚朝 王旭利 袁国火 
介绍大规模集成电路N80C196KC20单片机芯片在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应。用Intel公司的N80C196KC20单片机芯片进行X射线、钴源总剂量辐照试验，测量了电源工作电流ICC，芯片的功能失效表征了它的总剂量响应。芯片在较低...
关键词：辐射效应 电离总剂量 计算机芯片 X射线剂量增强 
反熔丝FPGA延时电路γ瞬时辐射效应被引量：9
《强激光与粒子束》2006年第2期321-324,共4页杜川华 詹峻岭 徐曦 
国防科技基础研究基金资助课题
简要叙述了反熔丝FPGA的基本结构,介绍了一种FPGA延时电路的工作原理以及利用该电路在“强光一号”脉冲加速器上进行γ瞬时辐照试验的方法,给出了试验测量结果。分析表明:高剂量率γ瞬时电离辐射会破坏FPGA延时电路一个信号周期的工作状...
关键词：反熔丝FPGA 延时电路 辐射效应 Γ剂量率 
抗X射线复合涂层环境适应性研究
《信息与电子工程》2004年第3期222-224,共3页赵洪超 徐曦 詹峻岭 
介绍应用等离子喷涂设备制备抗 X 射线复合涂层的工艺方法,并针对复合涂层的环境适应性问题,研究了降低涂层材料氧化、热应力集中和减小基材变形的技术措施。定量分析了复合涂层的化学成分,测量了复合涂层之间的结合力等参数,并给出了...
关键词：核电子学 环境适应性 热喷涂 复合涂层 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部