张立锋

作品数：6被引量：28H指数：4
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供职机构：复旦大学更多>>
发文主题：铜互连脉冲电镀集成电路X射线衍射电阻率更多>>
发文领域：电子电信化学工程文化科学电气工程更多>>
发文期刊：《中国集成电路》《半导体技术》《实验室科学》更多>>
所获基金：国家自然科学基金上海-AM基金更多>>
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高端集成电路工艺实验室管理探究被引量：2
《实验室科学》2020年第4期170-172,共3页张立锋 徐赛生 王凡 丁士进 张卫 
国家自然科学基金(项目编号:F040307)。
随着集成电路产业的发展,国内集成电路人才缺口很大。各高校也都加快了建设集成电路实验室的步伐。以复旦大学微电子学院的集成电路工艺实验室为样本,从团队分工,实验室安全管理制度,工艺标准化开发以及实验室的共享和开放四个方面来研...
关键词：集成电路 工艺实验室 工艺标准化 
直流和脉冲电镀Cu互连线的性能比较被引量：4
《半导体技术》2008年第12期1070-1073,共4页徐赛生 曾磊 张立锋 张卫 汪礼康 
国家自然科学基金项目(90607019);上海市科委AM基金(0304)
针对先进纳米Cu互连技术的要求,比较了直流和脉冲两种电镀条件下Cu互连线的性能以及电阻率、织构系数、晶粒大小和表面粗糙度的变化。实验结果表明,在相同电流密度条件下,脉冲电镀所得Cu镀层电阻率较低,表面粗糙度较小,表面晶粒尺寸和...
关键词：CU互连 电沉积Cu层 脉冲电镀 直流电镀 
集成电路Cu互连线的XRD研究被引量：7
《半导体技术》2008年第11期985-987,共3页徐赛生 曾磊 张立锋 顾晓清 张卫 汪礼康 
国家自然科学基金项目(60176013);上海市科委AM基金(0304)
对硫酸盐体系中电镀得到的Cu镀层,使用XRD研究不同电沉积条件、不同衬底和不同厚度镀层的织构情况和择优取向。对比了直流电镀和脉冲电镀在有添加剂和无添加剂条件下的织构情况。实验结果表明,对于在各种条件下获得的1μm Cu镀层,均呈现...
关键词：铜互连 X射线衍射 织构系数 择优取向 添加剂 
有机添加剂对铜互连线脉冲电镀的影响被引量：4
《半导体技术》2007年第5期387-390,共4页陈敏娜 曾磊 汪礼康 张卫 徐赛生 张立锋 
针对集成电路电镀铜技术,研究了三种有机添加剂(加速剂、抑制剂和平整剂)对铜互连线脉冲电镀的影响及其机制。采用电化学方法LCV(线性循环伏安法)和CP(计时电势法),分析了不同添加剂浓度下电镀过程的极化情况;用SEM表征了三种添加剂对...
关键词：铜互连 添加剂 脉冲电镀 粗糙度 极化 
脉冲时间参数对电沉积铜薄膜性能的影响被引量：6
《中国集成电路》2007年第1期52-56,共5页徐赛生 曾磊 张立锋 张炜 张卫 汪礼康 
国家自然科学基金项目(60176013);上海市科委AM基金(No.0304)
针对先进纳米铜互连技术的要求,研究了脉冲时间和关断时间对铜互连薄膜电阻率、晶粒尺寸和表面粗糙度等性能的影响。实验结果表明,占空比较小时,镀层电阻率较大,晶粒直径较小。脉冲时间选择在毫秒数量级,占空比选择在40%～60%之间容易...
关键词：铜互连 脉冲电镀 电阻率 晶粒尺寸 表面粗糙度 
集成电路铜互连线脉冲电镀研究被引量：7
《半导体技术》2006年第5期329-333,共5页曾磊 徐赛生 张立锋 张玮 张卫 汪礼康 
国家自然科学基金项目(60176013);上海市科委AM基金(0304)
针对先进纳米铜互连技术的要求,研究了脉冲电流密度对铜互连线电阻率、晶粒尺寸和表面粗糙度等性能的影响。实验结果表明,2～4A/dm2电流密度下的铜镀层拥有较小电阻率、较小的表面粗糙度和较大的晶粒尺寸。
关键词：铜互连 脉冲电镀 电阻率 X射线衍射 
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