徐寿定

作品数：3被引量：3H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：电学性质SI-GAAS单晶SI-GAAS砷化镓GAAS更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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SI-GaAs单晶热稳定性及其电学补偿机理研究被引量：3
《固体电子学研究与进展》1991年第3期216-224,共9页王占国 戴元筠 徐寿定 杨锡权 万寿科 孙虹 林兰英 
国家自然科学基金重大项目
本文利用多种实验手段,包括OTCS,DLTS,低温PL等,对影响LEC SI-GaAs单晶电学性质热不稳定的可能因素进行了系统研究.在仔细分析对比文献发表的实验结果的基础上,提出了普遍成立的多能级电学补偿模型.这个模型不但能成功地对SI-GaAs单晶...
关键词：SI-GaAs晶体 热稳定性 电学补偿 
高纯VPE-GaAs、LPE-GaAs的电学性质
《Journal of Semiconductors》1983年第4期389-394,共6页徐寿定 李瑞云 
用Van der Pauw法测量高纯VPE-GaAs和LPE-GaAs样品在20—300K温度范围内的电学性质,分析了它们的电子散射机理.最纯的VPE-GaAs样品峰值迁移率高达3.76×10~5cm^2/V·s,LPE-GaAs样品的峰值迁移率为2.54×10~5Cm^3/V·s.这两个样品的总离...
关键词：LPE-GaAs 光学 温度范围 电子迁移率 电导率 声子散射 VPE-GaAs 电学性质 
Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的低温光致发光
《Journal of Semiconductors》1981年第3期243-246,共4页于鲲 孟庆惠 李永康 吴灵犀 陈廷杰 徐寿定 
砷化镓、磷化铟等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体已广泛应用于微波、光电等器件中.为了提高材料质量,我们建立了灵敏、非破坏性的检测手段——低温光致发光.它还适合于微区和薄膜的研究,是分析GaAs等Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中杂质和缺陷的有效方法之一...
关键词：光致发光谱 低温光致发光 汽相外延 GAAS 双光栅单色仪 激发光 
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