朱作云

作品数：19被引量：73H指数：6
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发文主题：碳化硅压力传感器高温压力传感器SICSIC薄膜更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术理学经济管理更多>>
发文期刊：《传感技术学报》《电子科技》《功能材料》《红外与毫米波学报》更多>>
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蓝宝石衬底异质外延碳化硅薄膜反应机理研究被引量：1
《功能材料与器件学报》2002年第4期391-396,共6页王剑屏 郝跃 彭军 朱作云 张永华 宋国乡 
对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的异质外延工艺和反应机理进行了讨论,针对实验使用常压水平卧式反应室,分析了生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布以及反应气体浓度分布,指出“汽相结晶”过程对薄膜生长区Si/C比例有很大影响,从而...
关键词：蓝宝石衬底异质外延碳化硅薄膜 反应机理 化学汽相淀积 汽相外延 
碳化硅异质外延薄膜生长及表面缺陷研究被引量：3
《西安电子科技大学学报》2002年第4期465-469,共5页王剑屏 郝跃 彭军 朱作云 张永华 
国家部委预研基金资助项目 (w0 0 0 7T45 )
讨论了引入Ⅲ Ⅴ族氮化物为蓝宝石与碳化硅中间的缓冲层 ,用常压气相外延手段在蓝宝石 /Ⅲ Ⅴ族氮化物复合衬底上异质外延碳化硅薄膜的过程 .在C面 (0 0 0 1)蓝宝石上成功地生长出SiC薄膜 .扫描电子显微镜显示薄膜表面连续、光滑 ,证...
关键词：薄膜 碳化硅 异质外延 表面缺陷 腐蚀 衬底 
APCVD生长碳化硅薄膜中汽相结晶过程的研究被引量：3
《光子学报》2002年第7期832-836,共5页王剑屏 郝跃 宋国乡 彭军 朱作云 张永华 
国防科技预研基金资助项目
对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的常压化学汽相沉积 ( APCVD)异质外延技术进行了讨论 .在 Si C薄膜的生长过程中对 Si/ C原子比例的控制一直是影响薄膜表面形貌和膜层掺杂浓度的重要因素 .针对水平卧式反应室 ,分析了生长过程中气流流速...
关键词：APCVD 碳化硅薄膜 汽相结果 常压化学汽相淀积 异质外延 生长过程 生长速率 
蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的研究被引量：7
《物理学报》2002年第8期1793-1797,共5页王剑屏 郝跃 彭军 朱作云 张永华 
报道了在蓝宝石 (α Al2 O3)衬底上采用atmosphericpressurechemicalvapor(APCVD)技术异质外延碳化硅薄膜材料的研究 .通过引入Ⅲ Ⅴ族氮化物为中间的缓冲层 ,在C(0 0 0 1)蓝宝石上成功地生长出SiC薄膜 ,经过四晶衍射分析 ,分别在 35 ...
关键词：蓝宝石衬底 异质外延生长 碳化硅薄膜 化学汽相淀积 
力敏传感器市场预测分析研究被引量：1
《传感器世界》2001年第3期1-4,共4页郭源生 朱作云 董华 
信息技术是由信息采集、传输和处理构成。信息采集又是信息技术的前提和基础,而传感器就是信息采集的最基本功能器件,其应用市场的发展是信息技术水平的最终体现。本文就力敏传感器国内外市场发展状况和国内市场发展趋势进行简要预测分析。
关键词：信息技术 力敏传感器 市场预测分析 
SiC薄膜高温压力传感器被引量：13
《传感器技术》2001年第2期1-3,共3页朱作云 李跃进 杨银堂 柴常春 贾护军 韩小亮 王文襄 刘秀娥 王麦广 
SiC是制造高温半导体压力传感器的理想材料。介绍了在Si衬底上外延生长 3C -SiC薄膜和用它制作的SiC高温压力传感器 ,并对研制结果进行了分析。简单介绍了其它几种SiC压力传感器的特点、结构和制作方法。
关键词：压力传感器 碳化硅 薄膜 
高温半导体压力传感器技术被引量：8
《西安电子科技大学学报》2001年第1期120-124,共5页韩小亮 朱作云 李跃进 
国家自然科学基金资助项目! (6 9772 0 2 3)
介绍了高温半导体压力传感器的应用和国内外研究发展现状 ,论述了几种主要的高温半导体压力传感器的工作原理和关键技术 ,比较了不同传感器结构和制作工艺之间的优缺点 。
关键词：压力传感器 碳化硅 半导体 
微机械加工硅电容式加速度传感器被引量：7
《传感器技术》2001年第1期57-59,共3页李跃进 杨银堂 朱作云 马晓华 陈锦杜 
介绍了硅电容式加速度传感器的工作原理和制作过程。传感器的敏感元件为一个差分电容器 ,它是由活动质量块与两个玻璃极板通过阳极键合形成。活动质量块用标准的双极工艺和各向异性腐蚀工艺制作。该传感器的量程为 2 0 gn,线性度为 10 -4
关键词：加速度传感器 差分电容器 各向异性腐蚀 微机械加工 
蓝宝石/氮化铝衬底上SiC外延薄膜的X射线衍射分析被引量：4
《西安电子科技大学学报》2000年第2期186-189,共4页彭军 朱作云 贾护军 杨银堂 郑有炓 郭振琪 
国防科技预研基金资助项目 !(97J8 3 2 )
介绍了在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术 .通过在蓝宝石衬底上预淀积一层薄的氮化铝缓冲层使碳化硅薄膜的成核和黏附性得到很大的改善 .用多种X光衍射方法对生长在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上的碳化硅薄膜的...
关键词：蓝宝石 氮化铝 衬底 X射线衍射 碳化硅 外延薄膜 
硅基3C-SiC薄膜的外延生长技术被引量：3
《西安电子科技大学学报》2000年第1期80-82,87,共4页李跃进 杨银堂 贾护军 朱作云 
国家自然科学基金资助项目 !( 6 9772 0 2 3 )
用常压化学气相淀积法在(100)Si衬底上异质外延生长了3CSiC薄膜。为减小3CSiC与硅之间的晶格失配,在化学气相淀积系统中通过对硅衬底表面碳化制备了缓冲层,确定了形成缓冲层的最佳条件。用X射线衍射、俄歇电子能谱、扫描电镜对薄膜的特...
关键词：碳化硅 化学气相淀积 外延生长 薄膜 硅基 
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