兰天平

作品数：13被引量：34H指数：4
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供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文主题：VGF砷化镓位错密度VBGAAS更多>>
发文领域：电子电信理学环境科学与工程文化科学更多>>
发文期刊：《半导体技术》《科技创新导报》《天津科技》《电子工业专用设备》更多>>
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镓硼共掺对6英寸VGF法锗单晶电阻率均匀性的影响
《半导体技术》2024年第8期708-712,725,共6页张颖武 边义午 陈晨 周春锋 王云彪 兰天平 
由于杂质分凝效应,镓掺杂垂直梯度凝固(VGF)法锗单晶的电阻率分布不均匀,理论上利用镓和硼分凝系数的差异,镓硼共掺工艺可以提升锗单晶电阻率均匀性。采用镓硼共掺工艺制备了6英寸(1英寸≈2.54 cm)VGF法锗单晶,对比分析了掺杂工艺对锗...
关键词：6英寸 垂直梯度凝固(VGF)法 锗单晶 镓硼共掺 电阻率 均匀性 
6英寸半绝缘GaAs单晶VGF和VB联合生长技术
《半导体技术》2020年第5期383-389,共7页周春锋 兰天平 边义午 曹志颖 罗惠英 
为了生长6英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘GaAs单晶,采用水平梯度凝固(HGF)法合成GaAs多晶。将装有籽晶、GaAs多晶、氧化硼和碳粉的热解氮化硼(PBN)坩埚装入石英管内并抽真空后密封。然后将石英管装入单晶炉内,升温熔化多晶并熔接籽晶后,采...
关键词：GAAS 半绝缘单晶 单晶生长 垂直梯度凝固(VGF)法 垂直布里奇曼(VB)法 
高电阻率均匀性4英寸半绝缘GaAs单晶生长技术被引量：1
《半导体技术》2020年第4期287-292,303,共7页兰天平 周春锋 边义午 宋禹 马麟丰 
4英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘GaAs单晶材料是目前制备微波毫米波单片集成电路等的主流材料,随着5G技术应用的普及,该材料的应用前景将更加广阔。但是由于采用常规垂直梯度凝固(VGF)法晶体生长工艺所得的单晶尾部径向电阻率均匀性较差,严...
关键词：GAAS 垂直梯度凝固(VGF) 垂直布里奇曼(VB) 晶体生长 电阻率 均匀性 
VGF法半绝缘GaAs单晶EL2浓度优化研究
《人工晶体学报》2020年第3期412-416,共5页兰天平 边义午 周春锋 宋禹 
国防科工局进口替代专项。
为了获得高电阻率及迁移率的半绝缘GaAs单晶材料,采用经高压及水平合成不同工艺制得的GaAs多晶料,进行垂直梯度凝固(VGF)法半绝缘GaAs单晶生长,测试和分析相应单晶片的EL2浓度、C浓度及电阻率、迁移率等性能参数,对比和分析了GaAs化学...
关键词：砷化镓 垂直梯度凝固法 半绝缘 晶体生长 EL2 
p型Ge单晶VGF生长位错抑制研究被引量：4
《半导体技术》2016年第2期138-142,共5页周春锋 兰天平 周传新 
垂直梯度凝固(VGF)法在单晶生长时温度梯度低,热应力小,是目前制备大尺寸、低缺陷晶体的首选方法。在不同的工艺条件下开展了p型VGF锗单晶生长实验研究。通过控制不同温区的温度和降温速率来减小生长温度梯度和晶体内部的应力。在保证VG...
关键词：P型 锗单晶 垂直梯度凝固(VGF) 位错 位错排 
降低半绝缘GaAs单晶片亮点缺陷的热处理工艺研究
《天津科技》2016年第2期19-21,共3页杨艺 周春锋 兰天平 
GaAs单晶材料已成为一种重要的微电子和光电子基础材料,应用广泛。为了降低半绝缘砷化镓单晶片表面的亮点缺陷,对砷化镓晶片在不同温度和不同砷蒸汽压条件下进行了热处理,研究了热处理对砷化镓中砷的存在形式转换的影响及其机理。
关键词：GaAs单晶片 热处理 亮点缺陷 EL_2 
砷化镓材料技术发展及需求被引量：12
《天津科技》2015年第3期11-15,共5页周春锋 兰天平 孙强 
介绍了HB、LEC、FEC、VCZ、VB、VGF砷化镓单晶炉及生长技术,分析了各种生长技术的优缺点及发展趋势。HB砷化镓多晶合成和单晶生长可以同时完成,生长温度梯度小、位错小、应力小;其缺点为不易生长半绝缘砷化镓单晶材料。LEC法生长过程可...
关键词：砷化镓 单晶生长 HB LEC VB VGF 
VCSEL阵列用半绝缘砷化镓单晶生长工艺研究
《天津科技》2015年第3期18-20,共3页孙强 兰天平 周春锋 
VCSEL(垂直腔面发射激光器)阵列是一种面发射的化合物半导体有源器件,已广泛应用于激光制导、激光测距等军事电子领域。为了减少发射单元之间的高频串扰,VCSEL阵列必须生长在高电阻率和低位错密度的砷化镓衬底上。通过采用VGF(垂直梯度...
关键词：VGF砷化镓 单晶生长 半绝缘 
VB-GaAs单晶中掺Si浓度的控制
《电子工业专用设备》2010年第11期10-13,共4页林健 兰天平 牛沈军 
低阻GaAs单晶的获得,一般是通过掺入掺杂剂Si来实现的。本文分析了VB-GaAs单晶的掺Si机理及作用,并在理论掺杂公式的基础上,通过实验和理论分析,确定了掺杂剂量的经验关系式。按此公式,在VB-GaAs单晶中得到了理想的掺Si浓度。
关键词：VB-GaAs单晶 掺杂剂 浓度 
砷化镓材料被引量：8
《科技创新导报》2010年第32期75-77,共3页王建利 牛沈军 兰天平 周春峰 孙强 
文章介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料——砷化镓。从砷化镓材料的基本性质、参数出发,深入浅出地讨论了其相关性质形成的机理,以及与这些性质、参数相对应的有关半导体器件方面的应用情况,同时指出了为了适应器件的需求,如何在制造过程...
关键词：砷化镓 半导体材料 迁移率 能带结构 掺杂剂 载流子浓度 位错密度(EPD) 饱合漂移速度 
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