焦刚

作品数：28被引量：52H指数：4
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：高电子迁移率晶体管ALGAN/GANALGAN/GAN_HEMT氮化镓宽禁带半导体更多>>
发文领域：电子电信理学电气工程更多>>
发文期刊：《稀有金属》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《电子与封装》更多>>
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GaN功率MMIC背面通孔工艺优化及可靠性分析被引量：1
《固体电子学研究与进展》2011年第5期438-441,488,共5页刘海琪 王泉慧 焦刚 任春江 陈堂胜 
介绍了改进GaN功率MMIC背面通孔工艺的相关方法,并对通孔进行了可靠性方面的测试与分析。通过优化机械研磨的方法,减薄圆片至75μm左右,保持片内不均匀性在4%以内;利用ICP对基于SiC衬底的GaN功率MMIC进行了背面通孔工艺的优化,减少了孔...
关键词：背面通孔 氮化镓/碳化硅 ICP刻蚀 可靠性 
基于76.2mm圆片工艺的GaN HEMT可靠性评估被引量：3
《固体电子学研究与进展》2011年第2期115-119,140,共6页蒋浩 任春江 陈堂胜 焦刚 肖德坚 
报道了利用76.2 mm圆片工艺实现了SiC衬底GaN HEMT微波功率管的研制,并对其进行了多项试验以评估其可靠性。器件工艺中通过引入难熔金属作器件肖特基势垒,有效提高了GaN HEMT器件肖特基势垒的热稳定性,经过500°C高温处理30 s后器件肖...
关键词：铝镓氮/氮化镓 高电子迁移率晶体管 场板 栅挖槽 难熔栅 平均失效时间 
X波段GaN单片电路低噪声放大器被引量：3
《固体电子学研究与进展》2011年第1期16-19,共4页周建军 彭龙新 孔岑 李忠辉 陈堂胜 焦刚 李建平 
采用0.25μm GaN HEMT制备工艺在AlGaN/GaN异质结材料上研制了高性能X波段GaN单片电路低噪声放大器。GaN低噪声单片电路采取两级微带线结构,10 V偏压下芯片在X波段范围内获得了低于2.2 dB的噪声系数,增益达到18 dB以上,耐受功率达到了27...
关键词：低噪声放大器 微波单片集成电路 氮化镓高迁移率晶体管 
Ku波段20W AlGaN/GaN功率管内匹配技术研究被引量：8
《电子与封装》2010年第6期23-25,38,共4页孙春妹 钟世昌 陈堂胜 任春江 焦刚 陈辰 高涛 
文章的主要目的是研究第三代半导体AlGaN/GaN功率管内匹配问题。以设计Ku波段20WGaN器件为例,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在Ku波段20W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电...
关键词：GAN 功率管 内匹配 
磁控溅射AlN介质MIS栅结构的AlGaN/GaN HEMT
《固体电子学研究与进展》2009年第3期330-333,368,共5页任春江 陈堂胜 焦刚 钟世昌 薛舫时 陈辰 
报道了一种X波段输出功率密度达10.4W/mm的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的AlN介质作为绝缘层。采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够...
关键词：场板 铝镓氮/氮化镓 高电子迁移率晶体管 氮化铝 金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管 
磁控溅射AlN介质的14W/mm AlGaN/GaN MIS-HEMT被引量：1
《中国电子科学研究院学报》2009年第2期157-160,共4页任春江 陈堂胜 焦刚 耿涛 薛舫时 陈辰 
介绍了一种采用磁控溅射AlN介质作为绝缘层的的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了凹槽栅和场板结构。采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压。在2GHz、75V工作电压下,研制的200...
关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 MIS 电流崩塌 
2～11GHz GaN HEMT功率MMIC被引量：1
《固体电子学研究与进展》2009年第1期F0003-F0003,共1页陈辰 张斌 陈堂胜 焦刚 任春江 
关键词：功率密度 MMIC HEMT GaN 高电子迁移率晶体管 南京电子器件研究所 微波单片集成电路 输出阻抗 
SiN钝化前的NF_3等离子体处理对AlGaN/GaN HEMT性能的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第12期2385-2388,共4页任春江 陈堂胜 焦刚 陈刚 薛舫时 陈辰 
研究了Si N钝化前利用感应耦合等离子体(ICP)对Al GaN/GaN HEMT表面进行NF3等离子体处理对器件性能的影响.结果表明,运用低能量的NF3等离子体处理钝化前的Al GaN/GaN HEMT表面能有效抑制器件电流崩塌,而器件直流及微波小信号特性则未受...
关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 电流崩塌 NF3等离子体处理 
SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的ICP通孔刻蚀被引量：3
《Journal of Semiconductors》2008年第12期2408-2411,共4页任春江 陈堂胜 柏松 徐筱乐 焦刚 陈辰 
利用ICP对研制的SiC衬底上Al GaN/GaN HEMT刻蚀获得了深度为50μm的接地通孔.器件通孔制作前首先用机械研磨的方法将衬底减薄至50μm,在背面蒸发Ti/Ni并电镀Ni至3μm作为刻蚀阻挡层;之后利用SF6/O2混合气体的电感耦合等离子体对SiC衬底...
关键词：碳化硅 六氟化硫 电感耦合等离子体刻蚀 半导体器件 
X波段连续波119W GaN功率HEMT
《固体电子学研究与进展》2008年第4期F0003-F0003,共1页钟世昌 陈堂胜 任春江 焦刚 陈辰 邵凯 杨乃彬 
关键词：微波功率器件 HEMT 连续波 X波段 南京电子器件研究所 功率输出 大功率器件 半导体技术 
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