詹达

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：SOI材料键合强度键合技术CUT硅基薄膜更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《功能材料与器件学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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用smart-cut方法制备GOI材料及研究被引量：1
《功能材料与器件学报》2007年第3期207-212,共6页詹达 马小波 刘卫丽 朱鸣 宋志棠 
研究了氢离子注入后锗表面的剥离情况,观察发现其表面剥离的情况与Si相比有明显不同,H+注入后形成的微气泡层并没有导致Ge表面形成类似砂眼的凹坑,而是整个表层薄膜受H+膨胀压力导致其全部脱落。利用特殊的Ge的清洗工艺,完成了注H+的Ge...
关键词：GOI smart—cut 键合 
基于低温键合技术制备SOI材料
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期189-192,共4页詹达 马小波 刘卫丽 宋志棠 封松林 
国家自然科学基金(批准号:60476006和60576014)和上海市重点攻关(批准号:055211001)资助项目
通过N+等离子体对Si片以及SiO2片表面活化,进行直接键合,研究了键合强度与退火温度的关系.研究结果表明退火温度从100℃升高到300℃的过程中,键合强度明显加强;高于300℃,键合强度略有增加,但不明显.结合N+等离子体处理技术和Smart-Cut...
关键词：SOI 等离子体活化 键合强度 
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