唐政维

作品数：31被引量：108H指数：6
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供职机构：重庆邮电大学光电工程学院更多>>
发文主题：大功率LEDCMOS响应度光电探测器半导体放电管更多>>
发文领域：电子电信电气工程文化科学更多>>
发文期刊：《微电子学》《微电子学与计算机》《电子质量》《激光与红外》更多>>
所获基金：重庆市自然科学基金重庆市科技攻关计划国家自然科学基金模拟集成电路重点实验室基金更多>>
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一种用于模数转换器时钟管理电路的电荷泵
《微电子学》2022年第4期539-543,共5页周前能 李恒 李红娟 张红升 杨虹 唐政维 
重庆市技术创新与应用发展专项重点项目(cstc2020jscx-gksbX0012,cstc2021jscx-gksbX0038);重庆市自然科学基金资助项目(cstc2021jcyj-msxmX0590,cstc2021ycjh-bgzxm0085)。
采用0.13μm CMOS工艺,设计了一种用于模数转换器时钟电路的电荷泵。在共源共栅充/放电流源与其偏置电路之间增加传输门,有效地抑制了电荷泵关闭时产生的漏电流。同时,采用电流源提升技术,有效地提高了电荷泵充/放电电流支路的阻抗,抑...
关键词：模数转换器 时钟管理电路 电荷泵 
一种3D垂直结构的光电探测器研制
《微电子学》2021年第2期281-284,共4页戴永红 唐政维 刘新 李雨欣 
提出了一种3D垂直结构光电探测器及制作方法。将光电探测器芯片的下电极焊接在基板上,上电极通过金丝连接到放大电路,使得光通过侧面进入本征工层,有效解决了重掺杂死区和金属电极的阻光问题,降低了光损失,减少了复合率,提高了响应度。...
关键词：光电探测器 重掺杂死区 金属电极挡光 
一种高PSRR高阶温度补偿的带隙基准电压源被引量：5
《微电子学》2020年第6期777-783,共7页周前能 李文鸽 彭志强 关晶晶 李红娟 唐政维 
重庆市自然科学基金资助项目(CSTC2016JCYJA0347);重庆市技术创新与应用示范项目(cstc2018jszx-cyztzx0049);重庆市重点产业共性关键技术创新专项项目(cstc2016zdcy-ztzx40004);重庆市重点产业共性关键技术创新专项重点研发项目(cstc2017zdcy-zdyfX0041)。
基于SMIC 0.18μm CMOS混合信号工艺,设计了一种高PSRR高阶温度补偿的带隙基准电压源(BGR)。采用温度曲率补偿技术和温度分段补偿技术,使该BGR获得低温漂特性。采用PSRR提升技术,使所设计的BGR获得高PSRR特性。仿真结果显示,当温度从-5...
关键词：带隙基准电压源 曲率补偿电路 分段补偿电路 PSRR提升技术 
一种新型栅压自举采样开关被引量：3
《微电子学》2020年第4期482-485,共4页周前能 高唱 李红娟 唐政维 
重庆市重点产业共性关键技术创新专项项目(cstc2017zdcy-zdyf0166);重庆市技术创新与应用示范项目(cstc2018jszx-cyztzx0049)。
基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种新型的栅压自举采样开关。采用镜像结构,增加了自举电容。采用时钟控制反相器,减少了MOS采样开关管的栅极节点寄生电容。这些措施有效抑制了电荷共享效应,提高了线性度,提高了采样开关的导通、关...
关键词：电荷共享 无杂散动态范围 信噪失真比 栅压自举采样开关 
一种低暗计数率CMOS单光子雪崩二极管被引量：5
《半导体光电》2019年第2期166-170,共5页王巍 王广 王伊昌 曾虹谙 王冠宇 唐政维 袁军 
国家自然科学基金项目(61404019);重庆市基础与前沿研究计划项目(cstc2016jcyjA0272)
基于标准0.18μm CMOS工艺设计了一种新型单光子雪崩二极管(SPAD)器件。该SPAD以p-well/n-well轻掺杂雪崩结作为器件的核心工作区域,同时利用三个相邻n阱间的横向扩散在pn结边缘形成n-虚拟保护环以提高器件的性能。采用Silvaco软件对该...
关键词：单光子雪崩二极管 标准0.18μm CMOS工艺 虚拟保护环 响应度 光子探测效率 暗计数率 
一种高PSRR高阶温度补偿的带隙基准电压源被引量：5
《微电子学》2018年第3期300-305,共6页周前能 罗毅 徐兰 李红娟 唐政维 罗伟 
重庆市重点产业共性关键技术创新专项资助项目(cstc2016zdcy-ztzx0038;cstc2017zdcy-zdyf0166);重庆市自然科学基金资助项目(CSTC2016JCYJA0347);模拟集成电路重点实验室基金资助项目(6142802011503)
基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比(PSRR)、高阶温度补偿的带隙基准电压源(BGR)。在传统带隙基准电压源的基础上,增加了一个温度分段曲率补偿电路以及一个ΔVGS温度补偿电路,使得该BGR的温度特性得到有效改善。采用前...
关键词：带隙基准电压源 前调整器 电源抑制比 
用于BAN的自校准SAR ADC设计被引量：1
《微电子学》2017年第5期639-643,共5页周前能 徐海峰 李云松 唐政维 李红娟 罗伟 
国家自然科学基金资助项目(61471075);重庆市自然科学基金资助项目(CSTC2016JCYJA0347);重庆市重点产业共性关键技术创新专项项目(cstc2016zdcy-ztzx0038);模拟集成电路重点实验室基金项目(61428020115162802003)
基于SMIC 0.18μm CMOS混合信号工艺,设计了一种适用于体局域网(BAN)的自校准逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)。基于BAN系统的特点,设计的SAR ADC采用阻容混合型主数模转换器(DAC)及电容型校准DAC等结构。采用误差自校准技术来校准SAR AD...
关键词：体局域网 模数转换器 数模转换器 逐次逼近 
高光电探测效率CMOS单光子雪崩二极管器件被引量：6
《光子学报》2017年第8期1-7,共7页王巍 陈婷 李俊峰 何雍春 王冠宇 唐政维 袁军 王广 
国家自然科学基金(No.61404019)资助~~
基于0.18μm CMOS工艺技术,制作了单光子雪崩二极管,可对650~950nm波段的微弱光进行有效探测.该器件采用P^+/N阱结构,P^+层深度较深,以提高对长光波的光子探测效率与响应度;采用低掺杂深N阱增大耗尽层厚度,可以提高探测灵敏度;深N阱与...
关键词：单光子雪崩二极管 标准0.18μm CMOS工艺 深N阱 保护环 击穿特性 响应度 光子探测效率 
一种植入式神经元记录系统信号处理电路
《微电子学》2017年第2期185-190,共6页刘新 唐政维 安广雷 
重庆市教委科学技术研究资助项目(KJ1503205)
提出了一种植入式神经元记录系统信号处理电路,由一个带通放大器和流水线模数转换器(ADC)构成。带通放大器采用具有共模反馈的跨导运算放大器(OTA)来放大神经元信号,采用最优的2级放大器级数,减小了功耗和面积。流水线ADC采用全差分结构...
关键词：信号处理电路 神经元放大器 流水线型模数转换器 神经记录系统 
一种基于0.18μm CMOS工艺的高响应度APD被引量：1
《激光与红外》2017年第1期62-66,共5页王巍 陈丽 鲍孝圆 陈婷 徐媛媛 王冠宇 唐政维 
设计了一种基于0.18μm CMOS工艺的高响应度雪崩光电二极管(APD)。该APD采用标准0.18μm CMOS工艺,设计了两个P+/N阱型pn节,形成两个雪崩区以产生雪崩倍增电流。雪崩区两侧使用STI(浅沟道隔离)结构形成保护环,有效地抑制了APD的边缘击穿...
关键词：CMOS-APD 雪崩增益 响应度 带宽 
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