张蔚

作品数：8被引量：5H指数：1
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供职机构：北京工业大学更多>>
发文主题：SIGE_HBT低噪声放大器HBTSIGE/SI功率更多>>
发文领域：电子电信经济管理自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《半导体技术》《微电子学》《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金北京市教委科技发展计划模拟集成电路国家重点实验室开放基金北京市教委资助项目更多>>
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基于IEEE802.11a标准的SiGe HBT LNA的设计
《半导体技术》2008年第5期425-427,445,共4页李佳 张万荣 谢红云 张蔚 沈珮 甘军宁 
国家自然科学基金项目(60776051;60376033);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301);北京工业大学青年科研基金(97002013200701);北京市自然科学基金项目(4082007)
基于IEEE802·11a标准描述了一款SiGe HBT低噪声放大器(LNA)的设计。为适应该标准的要求,给出了噪声、功率增益及稳定性的优化方法。选用SiGe HBTs作为有源元件,采用T型输入、输出匹配网络设计了电路,并用安捷伦ADS-2006A软件对噪声系...
关键词：硅锗异质结双极型晶体管 低噪声放大器 IEEE802.11A 
基于DFB激光器的光学微波信号的产生
《物理学报》2008年第7期4558-4563,共6页谢红云 金冬月 何莉剑 张蔚 王路 张万荣 王圩 
国家自然科学基金(批准号:90101025,60776051);北京工业大学博士科研启动基金(批准号:52002013200701);北京工业大学青年科研基金(批准号:97002013200701);北京市教委科技发展计划项目(批准号:KM200710005015)资助的课题~~
采用量子阱混杂的材料集成技术制备并联分布反馈激光器和Y形波导耦合器集成的新型光电器件.两个并联分布反馈激光器的激射模式在频率上稍有差别,这两束不同频率的激光在Y形波导耦合器拍频产生光学微波信号.分别独立调节注入到两个激光...
关键词：光学微波信号生成 分布反馈激光器 Y形波导 拍频 
基于SiGe HBT的超宽带低噪声放大器的设计被引量：3
《微电子学》2008年第2期271-274,共4页张蔚 张万荣 谢红云 金冬月 何莉剑 王扬 沙永萍 
国家自然科学基金资助项目(60776051;60376033);北京市教委科技发展计划资助项目(KM200710005015);北京工业大学研究生科技基金重点资助项目(ykj-2006-291);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划资助项目(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金资助项目(67002013200301)
结合超宽带（UWB）无线通信标准，给出了超宽带低噪声放大器（LNA）的设计思路。依据这个思想，并以高性能硅锗异质结双极型晶体管为核心，设计了一款超宽带低噪声放大器。采用安捷伦的ADS，对设计的放大器进行了仿真验证。结果表明，...
关键词：超宽带 低噪声放大器 SIGE HBT 
SiGe HBT功率放大器基极偏置电阻的优化
《半导体技术》2007年第12期1025-1027,1064,共4页何莉剑 张万荣 谢红云 张蔚 
国家自然科学基金项目(60376033);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301);北京工业大学研究生科技基金资助项目(ykj-2006-286)
模拟了基极偏置电阻对功率放大器参数的影响。在兼顾效率、S参数、电压驻波比、功率增益及稳定性等特性的同时,得到了三阶交调信号幅度为最小值时的优化基极偏置电阻。模拟结果表明,一个优化的基极偏置电阻,不仅能使功率放大器的直流偏...
关键词：线性 功率放大器 偏置电阻 
等效器件补偿法提高功率放大器的线性
《半导体技术》2007年第9期785-787,共3页何莉剑 张万荣 谢红云 张蔚 
国家自然科学基金项目(60376033);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015);北京工业大学研究生科技基金资助项目(ykj-2006-286);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301);北京市属市管高等学校人才强教计划资助项目(102(KB)-00856)
针对减少功放的非线性交调失真,提出了一种简单有效的线性化电路设计方法,并以pHEMT功放为例,通过在栅漏之间并联一个变容二极管,对引起非线性失真的pHEMT输入端电容进行补偿,使功率放大器的三阶交调减少了30 dB,并且提高了功率放大器...
关键词：功率放大器 线性化 交调失真 
微波功率SiGe HBT研究进展
《微电子学》2006年第5期548-551,共4页张万荣 张蔚 金冬月 谢红云 肖盈 王扬 李佳 沈佩 
国家自然科学基金资助项目(60376033);北京市优秀跨世纪人才基金资助项目(67002013200301);模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439010804QT0101);北京市教委项目;北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划资助项目
Si的热导率比大部分化合物半导体(如GaAs)的热导率高,SiGe HBT在一个较宽的温度范围内稳定,SiGe HBT的发射结电压VBE的温度系数dVBE/dT比Si的小,双异质结SiGe HBT本身具有热-电耦合自调能力,所加镇流电阻可以较小,所有这些使SiGe HBT比G...
关键词：SIGE/SI 异质结晶体管 微波功率器件 
多发射极条功率SiGe HBT的热电耦合与优化设计被引量：1
《微电子学》2006年第5期591-594,共4页张万荣 何莉剑 谢红云 杨经伟 金冬月 肖盈 沙永萍 王扬 张蔚 
国家自然科学基金资助项目(60376033);北京市优秀跨世纪人才基金资助项目(67002013200301);模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439010804QT0101);北京市教委项目;北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划资助项目
利用自洽迭代数值计算方法,对多发射极微波功率SiGe HBT芯片热电耦合特性进行了模拟和分析。结果表明,通过对晶体管发射极条长、条间距的调整,可以有效地改善芯片温度分布的不均匀性,提高晶体管的热稳定性和功率处理能力。
关键词：SIGE/SI 异质结晶体管 热电耦合 
功率SiGe/Si HBT的温度特性被引量：1
《微电子学》2006年第5期611-614,共4页张万荣 王扬 金冬月 谢红云 肖盈 何莉剑 沙永萍 张蔚 
国家自然科学基金资助项目(60376033);北京市优秀跨世纪人才基金资助项目(67002013200301);模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439010804QT0101);北京市教委项目;北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划资助项目
测量了Si／SiGeHBT在23-260℃温度范围内的Gummel图、理想因子n、不同基极电流下的发射结电压VBE、电流增益β、共发射极输出特性，以及Early电压U的变化情况。结果表明，随电流和温度的增加，β减少，％随温度的变化率dVBE／dT小于同质...
关键词：SIGE/SI 异质结晶体管 温度特性 
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