郑东明

作品数：7被引量：12H指数：2
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供职机构：沈阳仪表科学研究院有限公司更多>>
发文主题：压力传感器敏感电阻硅压力敏感芯片硅基更多>>
发文领域：自动化与计算机技术电子电信文化科学更多>>
发文期刊：《中国科技成果》《强激光与粒子束》《仪表技术与传感器》更多>>
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单晶硅高温压阻式压力传感器被引量：6
《仪表技术与传感器》2020年第10期1-3,7,共4页吴沛珊 刘沁 李新 张治国 郑东明 
2019年辽宁省科技重大专项项目(2019JH1/10100022)。
适于高温环境应用的压力传感器的相关研究工作备受关注。以注氧隔离(SIMOX)技术SOI晶圆为基础,探讨了单晶硅高温压阻式压力传感器芯片和封装结构设计,在传感器国家工程中心OEM压力传感器制作工艺的基础上,完成传感器研制与测试。结果表...
关键词：高温压力传感器 注氧隔离 压阻效应 
高稳定MEMS硅压力敏感芯片关键技术研究
《中国科技成果》2020年第16期37-39,共3页张治国 李颖 郑东明 刘宏伟 金琦 祝永峰 刘波 
国家863计划“高精度硅压力传感器技术研究与产业化开发”(2014AA042001-02)。
在单晶硅晶圆的基础上,设计了压力敏感芯片结构,并基于MEMS工艺制作了压力敏感芯片.根据芯片实际已经有要求,提出了提高芯片稳定性的制备过程的关键工艺其影响因素.测量结果表明,所制备高稳定MEMS硅压力敏感芯片线性度优于0.1%,重复性0....
关键词：压力传感器 敏感芯片 关键技术 压阻效应 
基于硅硅键合技术的高精度压力传感器的研究被引量：4
《仪表技术与传感器》2017年第5期10-13,18,共5页李颖 张治国 郑东明 梁峭 张哲 刘剑 祝永峰 
国家高技术研究发展计划(863计划)项目(2014AA042001)
硅压阻压力传感器核心部件一般是由单晶硅和玻璃组成的微结构,由于单晶硅和玻璃的材料特性存在差异,在制造过程中会引入封装应力对传感器的性能产生不利影响。采用硅硅键合技术制造压力传感器核心部件的微结构,以同质材料替代异质材料...
关键词：高精度 传感器 硅硅键合 
响应面方法的硅刻蚀工艺优化分析（英文）
《强激光与粒子束》2016年第6期46-50,共5页付文婷 梁峭 崔可夫 石天立 张娜 郑东明 唐慧 孙海玮 
利用响应面分析方法优化了用于压力传感器硅敏感芯体的刻蚀操作条件。主要考虑了温度、KOH浓度和腐蚀时间三个操作参数,将它们的范围分别设定为40~60℃,0.4~0.48mol/L和5~12.5h,并设定各向异性腐蚀速率为响应值。通过建立二次方模型,分...
关键词：KOH各向异性 响应面分析方法 刻蚀速率 传感器 
提高压力传感器过载响应速度的研究
《仪表技术与传感器》2015年第6期14-16,19,共4页李颖 张治国 刘剑 张哲 张娜 郑东明 梁峭 祝永锋 
国家高技术研究发展计划(863计划)项目(2014AA042001)
介绍了一种提高硅电容压力传感器过载回零响应速度的方法,通过在传感器硅可动极板上设计、制作快速导油微结构,实现了传感器过载回零响应速度的大幅度提升,解决了传感器设计中一项关键技术难题,使硅电容压力传感器真正达到了实用化程度...
关键词：硅电容 传感器 导油槽 响应速度 
OEM压阻芯片性能测试及装置
《仪表技术与传感器》2009年第B11期246-248,258,共4页匡石 冯艳敏 郑东明 徐长伍 张玉喆 
OEM压阻芯片性能测试装置由2个平台构成,即硬件平台和软件平台,具有自动测试芯片性能和控制探针台功能。OEM压阻芯片性能测试可实现4寸(1寸=2.54 cm)芯片上近千个传感器图形的性能测试。每个图形测试项目包括桥路电阻、失调电压、漏流...
关键词：OEM压阻芯片 桥路电阻 失调电压 漏流 击穿电压 芯片性能测试原理 芯片性能自动测试程序设计 
扩散硅多功能集成差压传感器被引量：2
《仪表技术与传感器》2004年第7期6-7,共2页唐慧 孙海玮 刘宏伟 郑东明 张治国 陈信琦 郑永辉 
传感器的智能化从数字运算上解决传感器的温度补偿、静压补偿问题,解决了以前静压无法补偿,仅靠工艺解决的难题;改变了温度补偿仅靠硬件电路的方式。大大提高了仪表的测量精度,达到0 1%和0 075%。增加了传感器输出的信息量,实现了传感...
关键词：扩散硅 多功能 集成差压传感器 差压敏感元件 静压敏感元件 温度敏感元件 
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