颜学进

作品数：4被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：INGAASP/INP激光器磷化铟双稳激光器刻蚀更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《高技术通讯》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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半绝缘InP的优化生长条件以及掩埋的1.55μm激光器被引量：1
《Journal of Semiconductors》2000年第2期188-191,共4页许国阳 颜学进 朱洪亮 段俐宏 周帆 田慧良 白云霞 王圩 
国家"863"高技术计划资助
研究了低压ＭＯＣＶＤ下生长压力和Ｆｅ 源／Ｉｎ 源摩尔流量比对半绝缘ＩｎＰ电阻率的影响．得到了用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ 生长掺Ｆｅ 半绝缘ＩｎＰ的优化生长条件．在优化生长条件下得到的Ｆｅ－ＩｎＰ的电阻率为２．０×１０８Ω·ｃｍ...
关键词：激光器 优化生长 磷化铟 
刻蚀腔InGaAsP/InP双异质结激光器的制作与特性
《Journal of Semiconductors》1997年第11期836-839,共4页颜学进 张权生 石志文 杜云 祝亚芹 罗丽萍 朱家廉 吴荣汉 王启明 
国家自然科学基金;集成光电子学国家重点实验室资助
本文报道了用反应离子刻蚀（RIE）与晶向湿法化学腐蚀（XWCE）相结合沿InP衬底（110）方向获得工作波长1．3μm的InGaAsP／InP双异质结激光器的腔面的方法．用CH4：H2：Ar2的混合物作干法刻蚀的反应气体，用H2SO4：HCl：H2O2作湿法腐蚀...
关键词：半导体激光器 双异质结 刻蚀腔 
InGaAsP／InP　MQW电流控制型双稳／非线性增益开关激光器被引量：1
《Journal of Semiconductors》1996年第11期813-816,共4页张权生 石志文 杜云 颜学进 赵军 
863计划;国家自然科学基金
一种电流控制型二端及三端ＭＱＷ（多量子阱）ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双区共腔双稳／非线性增益开关激光器业已研制成功，文中报道了部分结果．
关键词：双稳激光器 InGaAs 磷化铟 多量子阱 
三端1．3μmInGaAsP／InP双区共腔激光器
《高技术通讯》1996年第7期27-29,共3页张权生 石志文 杜云 赵军 颜学进 
国家自然科学基金
研制成功了弱调Ｑ及强调Ｑ两种三端１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双区共腔激光器，其Ｐ／Ｉ特性分别呈二极管激射特性和吸收型双稳特性。两种激光器均实现了室温连续（直流）工作，吸收区电极的设置使两种器件的Ｐ／Ｉ特性均获得了...
关键词：激光器 双区共腔激光器 电极 磷化铟 INGAASP 
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