周小伟

作品数：12被引量：24H指数：2
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供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文主题：ALGAN蓝宝石衬底多量子阱干法刻蚀势垒更多>>
发文领域：电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>
发文期刊：《物理学报》《人工晶体学报》《Journal of Semiconductors》《电子科技》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
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不同p电极下InGaN太阳能电池性能研究被引量：2
《电子科技》2014年第2期112-114,共3页杨卓 李培咸 张锴 周小伟 
利用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长InGaN量子阱结构太阳能电池,并制作出了不同间距和形状的指叉形状p型电极。通过实验对比发现,随着指叉间距的减小,电极面积增加,光吸收面积减小,从而减少了光电流的产生,使得电池效率退化。另据实验发现...
关键词：INGAN 太阳能电池 p电极 指叉间距 
MOCVD脉冲生长对InGaN太阳能电池材料的影响被引量：1
《电子科技》2013年第1期10-11,共2页贾文博 李培咸 周小伟 杨扬 
通过对InGaN三元合金的生长方式做对比,发现在相同条件下,因常规生长过程中反应室In的浓度更高,生长出的InGaN中In组分更高。但是由于预反应的原因晶体质量较差,而脉冲生长由于源的分时输运,大幅减小了预反应的发生,提高了晶体质量。但...
关键词：INGAN 脉冲生长 太阳能电池 MOCVD 
Mg注入非极性a面GaN退火温度的研究被引量：1
《电子科技》2013年第1期12-15,共4页杨扬 李培咸 周小伟 贾文博 赵晓云 
非极性GaN材料解决了传统GaN材料中的极化现象,具有较好的应用前景。用金属有机物化学气相沉积方法,在r面蓝宝石上生长了Mg注入非极性a面GaN薄膜,并选取650℃、750℃、850℃这3个温度对Mg注入GaN薄膜进行退火温度研究。用原子力显微镜...
关键词：非极性 氮化镓 原子力显微镜 光致发光谱 拉曼谱 
在r面蓝宝石上生长的a面掺硅GaN的光学和电学性质研究被引量：1
《中国科学：技术科学》2011年第2期234-238,共5页许晟瑞 周小伟 郝跃 杨林安 张进成 毛维 杨翠 蔡茂世 欧新秀 史林玉 曹艳荣 
国家科技重大专项(批准号:2008ZX01002-002);国家自然科学基金重大项目(批准号:60890191);国家自然科学基金重点项目(批准号:60736033);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:JY10000904009)资助
在r面蓝宝石(Al2O3)衬底上生长了非极性掺硅的a面GaN薄膜,用光致发光(PL)谱,高分辨X射线衍射仪(HRXRD),原子力显微镜(AFM),和霍尔测量研究了材料的光学和电学性质.结果表明,Si的掺入会使材料的结晶质量和形貌出现微小的退化.黄带也随着S...
关键词：非极性 GAN HRXRD 光致发光 
氮化物MOCVD反应室流场的仿真与分析被引量：8
《人工晶体学报》2010年第1期226-231,共6页李志明 郝跃 张进成 许晟瑞 毕志伟 周小伟 
国家自然科学基金(No.60736033;60890191);国家科技重大专项(No.2008ZX01002-002)
在立式MOCVD反应室中,通过对生长氮化镓(GaN)薄膜材料的仿真,发现衬底表面反应物三甲基镓物质的量的浓度分布与实际生长的GaN薄膜的厚度分布一致,同时,仿真结果表明,薄膜的厚度分布与反应室内涡旋的分布相关。通过分析涡旋产生的原因,...
关键词：GAN生长 MOCVD 数值仿真 
基于AlN基板的不同Al组分的AlGaN材料生长
《功能材料与器件学报》2009年第6期575-580,共6页周小伟 李培咸 郝跃 
国家自然科学基金重点基金(60736033);863高技术计划(2996AA03A108)支持研究
采用脉冲法生长了200nm厚的AlN薄膜,其XRD摇摆曲线的半高宽为130arcsec,表面粗糙度为2.021nm。以此AlN层为基板生长了不同Al组分的AlGaN薄膜,高分辨率XRD测试发现,随Al组分的增加,AlN基板层对AlGaN薄膜施加的压应力增大,同时,AlGaN薄膜...
关键词：脉冲MOCVD法 ALGAN材料 薄膜应力 
基于MOCVD生长的高Al组分Al_xGa_(1-x)N的HRXRD研究被引量：2
《电子科技》2009年第5期69-71,77,共4页杜阳 李培咸 周小伟 白俊春 
通过MOCVD设备,在c面蓝宝石衬底上异质外延了不同Al组分含量的AlxGa1-xN材料,生长过程中采用了低温缓冲层技术、脉冲原子外延技术(PALE)和多层超晶格缓冲技术,例如AlGaN/AlNSLs结构,成功得到了表面光滑无裂纹的AlxGa1-xN膜。并且通过HR...
关键词：MOCVD ALXGA1-XN HRXRD 位错 晶格常数 
金属有机物化学气相沉积生长的a(110)面GaN三角坑缺陷的消除研究
《物理学报》2009年第8期5705-5708,共4页许晟瑞 张进城 李志明 周小伟 许志豪 赵广才 朱庆伟 张金凤 毛维 郝跃 
国家自然科学基金重点项目(批准号:60736033);国家科技重大专项(批准号:2008ZX01002)资助的课题~~
用金属有机物化学气相沉积方法在r面蓝宝石上生长了非极性a面GaN薄膜,通过采用AlGaN多量子阱插入层,得到了高质量的非极性GaN材料.用原子力显微镜和高分辨X射线衍射仪研究了a面GaN的表面形貌和结晶质量,发现非极性材料上典型的三角坑缺...
关键词：GAN 原子力显微镜 高分辨X射线衍射仪 非极性 
p-GaN ICP刻蚀损伤研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第7期1097-1103,共7页龚欣 吕玲 郝跃 李培咸 周小伟 陈海峰 
国家重大基础研究发展规划资助项目(批准号:51327020301)~~
运用Cl2/N2等离子体系统,系统研究了ICP刻蚀中ICP功率、RF功率、反应室压力和Cl2百分比对p型GaN材料的物理表面形貌和欧姆接触特性的影响.原子力显微镜显示,在文中所用的刻蚀条件范围内,刻蚀并没有引起表面形貌较大的变化,刻蚀表面的均...
关键词：GAN 感应耦合等离子体刻蚀 等离子体损伤 
界面电偶极子对GaN/AlGaN/GaN光电探测器紫外/太阳光选择比的影响被引量：2
《物理学报》2005年第8期3810-3814,共5页张春福 郝跃 游海龙 张金凤 周小伟 
国家重点基础研究发展规划(批准号:51327020301)资助的课题~~
在GaN/AlGaN/GaN倒置异质结光电二极管(IHP)中,存在于AlGaN/GaN异质结界面处强烈的极化效应对器件的紫外/太阳光(UV/Solar)选择比产生了重要的影响.将极化效应总的影响分为两部分:电偶极子和极化项,在建立的GaN/AlGaN/GaN结构IHP模型的...
关键词：ALGAN/GAN 电偶极子 光电探测器 选择比 太阳光 紫外 极化效应 光电二极管 异质结界面 分析结果 数量级 器件 UV 
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