李明达

作品数：20被引量：36H指数：4
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供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文主题：均匀性硅外延硅外延片硅外延层过渡区更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《科技风》《电子元件与材料》《集成电路应用》《材料导报》更多>>
所获基金：天津市自然科学基金天津市科技计划更多>>
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双极型晶体管用常压埋层硅外延的图形完整性研究被引量：1
《集成电路应用》2023年第2期28-31,共4页高航 李明达 
阐述埋层硅外延片作为当今双极型晶体管的关键战略材料,应用价值显著。但是相比常规无图案的抛光片外延,埋层硅外延制备工艺受制于外延均匀性、表面质量等参数制约,难度显著增加。基于<111>晶向的埋层硅外延将与<110>定位面垂直的方向...
关键词：硅外延 埋层 图形漂移 图形畸变 
150mm NN+结构的外延材料厚度与电阻率分布控制工艺研究被引量：1
《集成电路应用》2023年第2期32-35,共4页高航 李明达 
阐述利用150mm直径的重掺杂硅抛光片,外延生长N/N+结构的厚层高阻外延层,通过流场结构以及热场结构的设计与实施,并与外延层厚度、电阻率均匀性的交互作用规律相结合,通过傅立叶变换红外线光谱分析仪(FT-IR)、电容-电压测试仪(C-V)等测...
关键词：硅外延 功率器件 厚度 电阻率 均匀性 
Applied Materials Centura系列单片式硅外延炉的先进性研究被引量：1
《天津科技》2020年第5期40-42,共3页唐发俊 赵扬 李明达 马丽颖 王楠 
天津市自然科学基金“基于连续波激光辐照诱导富硅氧化硅的相变机理研究”(18JCYBJC41800);天津市科技计划项目“特种高频器件用硅外延薄层高阻材料的制备及核心技术基础研究”(18ZXJMTG00300)。
随着半导体元器件制造要求的不断提高,对硅外延片的质量要求也不断提高。一方面,为了改善硅外延片的厚度和电阻率均匀性,硅外延炉从多片式逐步转向单片式发展;另一方面,硅外延片的尺寸从小尺寸(4英寸)向大尺寸(8英寸、12英寸)发展。鉴...
关键词：硅外延炉 辐照加热 单片式硅外延炉 
薄层高阻硅外延制备工艺研究被引量：1
《天津科技》2020年第5期81-83,共3页傅颖洁 李明达 
轻掺硅外延层/重掺衬底结构作为现代电力电子器件的关键基础材料,其厚度均匀性、电阻率均匀性等关键参数与所制器件的性能密切相关。通常基于重掺衬底的轻掺硅外延层,电阻率比厚度数值至少会低1个数量级,可以有足够的反应时间爬升到稳...
关键词：硅外延 高均匀性 薄层 高阻 
硅外延材料制造过程中先进配套条件的研究
《天津科技》2020年第4期18-19,22,共3页唐发俊 赵扬 李明达 马丽颖 王楠 
天津市自然科学基金“基于连续波激光辐照诱导富硅氧化硅的相变机理研究”(18JCYBJC41800);天津市科技计划项目“特种高频器件用硅外延薄层高阻材料的制备及核心技术基础研究”(18ZXJMTG00300)。
应用于半导体产业的硅外延材料,其制造工艺的发展迄今已将近50年。一方面,为了满足硅外延片从小尺寸向大尺寸发展以及材料均匀性要求的不断提高,其制造设备从多片式外延炉向单片式外延炉发展;另一方面,随着半导体元器件制造对硅外延片...
关键词：硅外延炉 气体纯化器 起泡器 气体流量补偿器 
一种重掺衬底上生长硅外延层的工艺研究被引量：1
《天津科技》2020年第4期53-54,58,共3页傅颖洁 李明达 
随着肖特基势垒二极管对反向击穿电压一致性指标要求的进一步严格,对所需重掺衬底的硅外延层厚度和电阻率参数的均匀性指标提出了更高的要求。同时,为满足肖特基势垒二极管低正向压降的性能,对外延层过渡区宽度的控制难度加大。使用PE-2...
关键词：肖特基二极管 一致性 硅外延层 过渡区 
低功耗肖特基整流器件用200 mm高均匀性硅外延层生长工艺被引量：3
《科学技术与工程》2018年第36期205-210,共6页李明达 李普生 薛兵 
200 mm硅外延片是肖特基器件的关键支撑材料,但是大尺寸硅外延层生长面临反应面积大、易受热流场扰动影响的问题,导致采用传统外延工艺始终未实现预期目标。利用Centura外延炉,在200 mm的硅单晶衬底上化学气相沉积(CVD)了结晶质量良好...
关键词：硅外延层 晶体缺陷 均匀性 肖特基器件 
双极IC用双埋层图形衬底制备N/P异型硅外延结构
《固体电子学研究与进展》2018年第6期456-464,共9页李明达 李普生 
利用PE2061s型常压桶式多片外延炉,在P型双埋层图形硅衬底上沉积生长高均匀性低缺陷的N型外延层。通过研发衬底背面杂质掩蔽、附面层虹吸效应、高补偿缓冲层生长等技术,使外延层图形漂移率、图形畸变率、均匀性以及表面质量等关键指标...
关键词：埋层外延 图形漂移 图形畸变 缓冲层 
VDMOS功率器件用200mm硅外延片工艺研究被引量：7
《天津科技》2018年第12期25-28,共4页李明达 
200 mm尺寸的硅外延片是制备VDMOS功率器件的关键材料,其均匀性、结晶质量等材料技术指标与器件耐压、正向导通特性等电学性能密切相关,因此对大尺寸外延层的参数控制水平提出了严格要求。但由于反应区域面积较大、涉及反应因素条件较多...
关键词：硅外延片 晶体缺陷 均匀性 
120 V超快软恢复二极管用大尺寸硅外延材料工艺研究被引量：3
《材料导报》2017年第A02期88-92,106,共6页李明达 陈涛 薛兵 
硅外延材料具有厚度和电阻率能精确调控、结晶完整性良好的优势,能够有效降低功耗,改善击穿电压,广泛应用于半导体分立器件。外延层厚度、电阻率、均匀性、晶格质量等参数指标直接决定了所制分立器件的良率和性能。通过研究平板式外延...
关键词：硅外延材料 均匀性 化学气相沉积 超快软恢复二极管 
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