王海波

作品数：4被引量：9H指数：2
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供职机构：大连理工大学电子科学与技术学院电子工程系更多>>
发文主题：4H-SICSIC管理研究客户关系管理客户关系更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理文化科学更多>>
发文期刊：《半导体技术》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：辽宁省自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”教育部留学回国人员科研启动基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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n型4H-SiC湿氧二次氧化退火工艺与SiO_2/SiC界面研究被引量：2
《北京科技大学学报》2008年第11期1282-1285,共4页马继开 王德君 朱巧智 赵亮 王海波 
科技部重大基础研究前期研究专项资助项目(No.2005CCA00100);辽宁省自然科学基金资助项目(No.20072192);教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目(No.NCET-06-0278);教育部留学回国人员科研启动基金资助项目(No.20071108)
在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比...
关键词：4H-SIC MOS电容 湿氧二次氧化退火 SiO2/SiC界面 
SiO_2/4H-SiC(0001)界面过渡区的ADXPS研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第5期944-949,共6页王德君 赵亮 朱巧智 马继开 陈素华 王海波 
国家科技部重大基础研究前期研究专项(批准号:2005CCA00100);辽宁省自然科学基金(批准号:20072192);教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-06-0278);教育部留学回国人员科研启动基金(批准号:20071108)资助项目~~
采用角依赖X射线光电子谱技术（ADXPS）对高温氧化SiO2／4H—SiC（0001）界面过渡区的组成、成分分布等进行了研究．通过控制1％浓度HF酸刻蚀氧化膜的时间，制备出超薄膜（1～1．5nm）样品，同时借助标准物对照分析，提高了谱峰分解的...
关键词：SiO2/SiC界面 4H—SiC ADXPS 界面态 缺陷 
低温退火制备Ti/4H-SiC欧姆接触被引量：2
《半导体技术》2008年第2期147-150,共4页陈素华 王海波 赵亮 马继开 
国家973项目(2005CCA00100)
实现SiC器件欧姆接触常规工艺需要800—1200℃的高温退火。研究了n型4H-SiC低温制备Ti欧姆电极的工艺及其基本电学特性。通过氢等离子体处理4H-SiC的表面，沉积Ti后可直接形成欧姆接触，室温下比接触电阻率ρc为2．25×10^-3Ω·cm^2（...
关键词：碳化硅 氢等离子体 欧姆接触 比接触电阻率 
用XPS法研究SiO_2/4H-SiC界面的组成被引量：4
《半导体技术》2008年第2期121-125,共5页赵亮 王德君 马继开 陈素华 王海波 
国家"973"资助项目(2005CCA00100)
利用X射线光电子谱（XPS）研究了高温氧化形成的Si02／4H．SiC界面的化学组成。获取低浓度HF酸刻蚀速度基础上制备出超薄氧化膜（1～1．5nm）样品，并借助标准物对照法辅助谱峰分析。结果表明，高温氧化Si02／4H．SiC界面，类石墨碳较...
关键词：二氧化硅/碳化硅 4H-碳化硅 X射线光电子谱 超薄氧化膜 
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