马仲发

作品数：14被引量：55H指数：6
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供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
发文主题：光电耦合器件MOSFETGAALAS红外发光二极管G-R噪声更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《红外与毫米波学报》《西安电子科技大学学报》《光子学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国防科技重点实验室基金国防科技技术预先研究基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
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一种碳化硅外延层质量评估新技术被引量：1
《西安电子科技大学学报》2011年第6期37-43,96,共8页马格林 张玉明 张义门 马仲发 
国家自然科学基金资助项目(60876061);陕西省13115创新工程资助项目(2008ZDKG-30)
由于当前多种技术同时被用于碳化硅(SiC)外延层质量表征,造成外延层和器件研制成本高、时间长、易损伤、不能在线检测等,限制了SiC外延材料和器件的发展.用红外镜面反射谱、拉曼散射谱、X射线衍射、原子力显微镜和X射线光电子能谱等对4H...
关键词：碳化硅 外延层 质量评估 红外镜面反射谱 
SiC外延层表面化学态的研究被引量：4
《物理学报》2008年第7期4119-4124,共6页马格林 张玉明 张义门 马仲发 
国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:51327020201,51327020202);国家自然科学基金(批准号:60376001);教育部重点项目(批准号:106150)资助的课题~~
用高分辨X射线光电子能谱仪(XPS)和傅里叶变换红外(FTIR)光谱仪研究了SiC外延层表面的组分结构.XPS宽扫描谱,红外掠反射吸收谱及红外镜面反射谱的解析结果说明SiC外延层表面是由Si—O—Si和Si—CH2—Si聚合体构成的非晶SiCxOy:H.SiC外...
关键词：SIC 化学态 XPS FTIR 
SiC表面C 1s谱最优拟合参数的研究被引量：1
《物理学报》2008年第7期4125-4129,共5页马格林 张玉明 张义门 马仲发 
国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:51327020201,51327020202);国家自然科学基金(批准号:60376001);教育部重点项目(批准号:106150)资助的课题~~
提出了一种新的,用未限定拟合峰位置、半高宽和峰面积的X射线光电子谱拟合方法,研究了拟合峰的数目、函数类型及背景对SiC表面C1s谱拟合结果的影响,并与样品表面宽扫描X射线光电子谱和红外掠反射吸收谱相对照,确定了SiC表面C1s谱的最优...
关键词：SIC X射线光电子谱 C1s谱 
基于小波分析和虚拟仪器技术的1/f噪声研究被引量：6
《电子器件》2006年第2期369-372,共4页包军林 庄奕琪 杜磊 李伟华 马仲发 万长兴 
国家自然科学基金资助(60276028);国防预研基金资助(51411040601DZ014);国防科技重点实验室基金资助(51433030103DZ01)
传统基于傅立叶分析和频谱分析仪的微弱信号检测方法无法对1/f噪声进行实时、高速、精确的测量与分析。本文在以虚拟仪器为平台,内嵌小波分析的低频噪声检测系统基础上对1/f噪声进行了实验和理论研究。实验结果表明,该系统能够检测到的...
关键词：小波分析 虚拟仪器 1/f噪声 模极大值 相似系数 
GaAlAs红外发光二极管功率老化对其1/f噪声特性的影响被引量：1
《红外与毫米波学报》2006年第1期33-36,共4页包军林 庄奕琪 杜磊 马仲发 李伟华 李聪 
国家自然科学基金(60276028);国防预研基金(51411040601DZ014);国防科技重点实验室基金(51433030103DZ01)
在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题.对GaA lAs红外发光二极管(IRLED)功率老化前后低频噪声的测量发现,1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比(小电流区γ=1,在大电流区γ≈2),且老化后1/f噪声幅值比老化前增大2个数量级...
关键词：红外发光二极管 1/f噪声 功率老化 陷阱 
光电耦合器件闪烁噪声模型被引量：11
《光子学报》2005年第9期1359-1362,共4页包军林 庄奕琪 杜磊 马仲发 胡瑾 周江 
国家自然科学基金(No.60276028);国防预研基金(No.51411040601DZ014);国防科技重点实验室基金(No.51433030103DZ01)资助的课题
对电应力前后光电耦合器件的闪烁噪声(1/f噪声)进行了实验和理论研究.实验发现,应力前后1/f噪声幅值随偏置电流均有相同的变化规律:在低电流区,1/f噪声幅值与偏置电流成正比,在高电流区,1/f噪声幅值与偏置电流的平方成正比,且应力后1/f...
关键词：1/f噪声 光电耦合器件 涨落 陷阱 
电应力对GaAlAs红外发光二极管低频噪声的影响(英文)
《电子器件》2005年第4期765-768,774,共5页包军林 庄奕琪 杜磊 马仲发 李伟华 万长兴 胡瑾 
国家自然科学基金资助(60276028);国防预研基金资助(51411040601DZ014);国防科技重点实验室基金资助(51433030103DZ01)
在宽范围偏置条件下,测量了电应力前后GaAlAs红外发光二极管(IRED)的低频噪声,发现应力前后1/f噪声随偏置电流变化的规律没有改变,但应力后1/f噪声幅值比应力前增加大约100倍。基于载流子数和迁移率涨落的理论分析表明GaAlAsIRED的1/f...
关键词：低频噪声 红外发光二极管 电应力 界面陷阱 表面陷阱 
光电耦合器件1/f噪声和g-r噪声的机理研究被引量：8
《光子学报》2005年第6期857-860,共4页包军林 庄奕琪 杜磊 马仲发 李伟华 李聪 
国家自然科学基金(No.60276028);国防预研基金(No.51411040601DZ014);国防科技重点实验室基金(No.51433030103DZ01)资助
对光电耦合器件1/f噪声和gr噪声(产生-复合噪声)的偏置特性及其产生机理进行了实验和理论研究.结果表明在低频段,光电耦合器件的gr噪声通常表现为叠加1/f噪声,且两者均随输入电流的增加呈现先增大后减小的规律.通过测量前级噪声和后级噪...
关键词：1/f噪声 G-R噪声 光电耦合器件 深能级 
GaAlAs红外发光二极管1/f噪声研究被引量：1
《电子器件》2005年第3期497-499,504,共4页包军林 庄奕琪 杜磊 马仲发 李伟华 万长兴 
国家自然科学基金资助(60276028);国防预研基金资助(51411040601DZ014);国防科技重点实验室基金资助(51433030103DZ01)
在宽范围偏置条件下,测量了GaAlAs红外发光二极管(IRLED)的低频噪声,发现1/f噪声幅值与偏置电流Irf的r次方成正比,在小电流区,r≈1,在大电流区r≈2。建立了一个GaAlAsIRLED的1/f噪声模型,得到与实验一致的定性结果。基于该模型的分析表...
关键词：1/f噪声 红外发光二极管 涨落 氧化层陷阱 
光电耦合器件g-r噪声模型被引量：3
《Journal of Semiconductors》2005年第6期1208-1213,共6页包军林 庄奕琪 杜磊 吴勇 马仲发 
国家自然科学基金(批准号:60276028);国防预研基金(批准号:51411040601DZ014);国防科技重点实验室基金(批准号:51433030103DZ01)资助项目~~
在宽范围偏置条件下,测量了光电耦合器件的g-r(产生复合)噪声.实验结果表明,随着偏置电流的增加,g-r噪声逐渐向高频移动,其噪声幅值呈现先增加后减小的变化规律.通过测量前级噪声和后级噪声,发现光电耦合器件g-r噪声来源于后级的光敏三...
关键词：1/f噪声 g—r噪声 光电耦合器件 深能级缺陷 
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