孙卫忠

作品数：7被引量：7H指数：2
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供职机构：河北工业大学更多>>
发文主题：SI-GAAS大直径微缺陷半绝缘砷化镓硅单晶更多>>
发文领域：电子电信理学建筑科学经济管理更多>>
发文期刊：《南开大学学报（自然科学版）》《物理学报》《半导体技术》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金天津市自然科学基金河北省科学技术研究与发展计划项目更多>>
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介质材料厚度对一维光子晶体禁带的影响被引量：1
《南开大学学报（自然科学版）》2013年第5期80-85,共6页王正刚 侯国付 赵颖 刘彩池 孙卫忠 
国家自然科学基金(61176060);天津市自然科学基金重点项目(12JCZDJC28300);国家高技术研究发展规划(2011AA050503);国家重点基础研究发展计划(2011CBA00705,2011CBA00706,2011CBA00707)
由Si和SiO2两种介质材料构成一维二元光子晶体,研究了介质材料各层厚度对光子禁带宽度和禁带位置的影响.为了更加接近实际情况,数值模拟中考虑了Si和SiO2折射率随波长的变化及材料的吸收.研究结果表明,在单周期厚度不变时,随着Si和SiO2...
关键词：一维光子晶体 光子禁带 介质层厚度 
大直径LEC Si-GaAs中深施主缺陷的红外光谱分析
《现代仪器》2009年第5期41-42,50,共3页孙卫忠 王娜 王丽华 郝秋艳 刘彩池 
河北省自然科学基金(08B013);河北省科学技术研究与发展指导计划(07215138)
本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEC (Light Energy Converter光能转换器)Si-GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布。实验结果表明,大直径LEC Si-GaAs深施主缺陷EL2浓度沿直径方向成w型分布,中心区域比较高,靠近中间区域最低,边缘区...
关键词：半绝缘砷化镓 EL2 红外光谱分析 
半绝缘砷化镓中本征缺陷的光学显微研究被引量：2
《现代仪器》2008年第3期38-40,共3页刘红艳 孙卫忠 王娜 郝秋艳 刘彩池 
河北省科学技术研究与发展指导计划和河北工业大学博士启动基金(07215138)
本文利用光学显微技术系统分析热处理对液封直拉法生长的半绝缘砷化镓（LECSI-GaAs）中本征缺陷的影响。实验结果表明，晶体生长后的热处理可以影响砷沉淀的密度与分布。500℃热处理对As沉淀的密度无明显影响；真空条件下，在850-930℃...
关键词：半绝缘砷化镓 热处理 砷沉淀 光学显微技术 
离子注入大直径SI-GaAs电特性的研究
《半导体技术》2008年第S1期42-44,67,共4页王娜 王丽华 孙卫忠 郝秋艳 刘彩池 
河北省自然科学基金(08B013);河北省科学与技术研究与发展指导计划(07215138)
用离子注入的方法把Si注入到大直径LEC SI-GaAs中,用霍尔测量方法研究了热处理条件对样品电特性的影响。发现在快速热退火温度为900℃、保温时间为5s时,样品获得了最好的电激活效率。当退火温度高于950℃时,样品导电类型由n型变为p型。...
关键词：半绝缘砷化镓 离子注入 电特性 快速热退火 
大直径SI-GaAs中的位错和微缺陷
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期133-136,共4页赵彦桥 刘彩池 郝秋艳 孙卫忠 
国家自然科学基金(批准号:60276009)和河北工业大学博士科研启动基金资助项且
利用化学腐蚀法对直径150mm LEC SI-GaAs单晶片进行腐蚀,并用金相显微镜对腐蚀后的样品进行检测.在样品中发现了不同形貌的位错和微缺陷,其中球形微缺陷和胞状位错尤为常见.本文对样品中缺陷的类型、密度和分布等情况进行了描述和讨论.
关键词：SI-GAAS 化学腐蚀法 位错 微缺陷 
非掺半绝缘砷化镓中的杂质与微缺陷被引量：1
《稀有金属材料与工程》2006年第10期1544-1547,共4页孙卫忠 牛新环 王海云 刘彩池 徐岳生 
国家自然科学基金(60276009);中国人民解放军总装备部(00JS02.2.1QT4501);河北省自然科学基金(599033)资助项目
用化学腐蚀法、金相显微观察、透射电镜(TEM)、电子探针X射线微区分析(EPMA)和扫描电镜能谱分析(EDX)等手段,对φ76mm非掺杂(ND)半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中微缺陷、碳的微区分布进行了分析。结果表明:在晶体周边区域,由高密度位错运...
关键词：SI-GAAS 微缺陷 位错 AB腐蚀 杂质碳 
高温快速退火对重掺锑硅单晶中流动图形缺陷的影响被引量：3
《物理学报》2005年第10期4863-4866,共4页郝秋艳 刘彩池 孙卫忠 张建强 孙世龙 赵丽伟 张建峰 周旗钢 王敬 
国家自然科学基金(No.60076001;50032010);天津市自然科学基金;河北省自然科学基金;河北省教育厅基金资助的课题.~~
对大直径重掺锑硅单晶中流动图形缺陷(FPDs)进行了研究.利用高温快速退火工艺(RTA),将重掺锑硅片在N2,Ar,H2三种不同气氛下进行热处理,对退火前后FPDs的密度变化进行了研究,分析了重掺锑硅单晶中FPDs在不同高温RTA过程中的热稳定性.并...
关键词：重掺锑硅单晶 快速退火(RTA) 流动图形缺陷(FPDs) 空洞缺陷 快速退火工艺 硅单晶 微缺陷 掺锑 高温 图形 
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