张科营

作品数：25被引量：67H指数：5
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发文主题：单粒子效应单粒子翻转单粒子测试系统总剂量效应更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术理学核科学技术更多>>
发文期刊：《核电子学与探测技术》《物理学报》《核技术》《固体电子学研究与进展》更多>>
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反射中子对金属快中子脉冲堆特性参数的影响研究
《核技术》2024年第6期121-128,共8页郭树伟 陈珍平 江新标 李达 张科营 张信一 王立鹏 谢金森 于涛 
湖南省自然科学基金(No.2022JJ40345);湖南省教育厅科学研究项目(No.19A422)资助。
快中子脉冲堆对墙壁反射中子比较敏感,反射中子会改变快中子脉冲堆波形,当反射中子较多时可能会对脉冲堆的运行安全造成不利影响。本文建立了考虑墙壁反射中子效应的点堆动力学方法、蒙特卡罗中子学计算方法和ANSYS热力学计算方法三者...
关键词：快中子脉冲堆 反射中子 核热力耦合 点堆动力学 安全分析 
电路级模拟技术在SRAM型FPGA总剂量效应敏感性预测中的应用被引量：2
《现代应用物理》2018年第1期82-87,共6页郭红霞 丁李利 范如玉 姚志斌 罗尹虹 张凤祁 张科营 赵雯 
国家自然科学基金资助项目(11690043;11605138;61634008)
在分析SRAM型FPGA单元电路及芯片辐照效应实验数据的基础上,借助计算机仿真模拟,研究了大规模集成电路抗辐射性能的敏感性预测技术。采用分层仿真和评价的方法,先由上而下,根据器件参数要求分配性能指标,再依据实验数据,借助数值模拟,...
关键词：电子器件 总剂量效应 试验技术 电路模拟 敏感性预测 
基于蒙特卡洛和器件仿真的单粒子翻转计算方法被引量：2
《物理学报》2014年第19期255-261,共7页王晓晗 郭红霞 雷志锋 郭刚 张科营 高丽娟 张战刚 
文章提出了一种基于蒙特卡洛和器件仿真的存储器单粒子翻转截面获取方法,可以准确计算存储器单粒子效应,并定位单粒子翻转的灵敏区域.基于该方法,计算了国产静态存储器和现场可编程门阵列(FPGA)存储区的单粒子效应的截面数据,仿真结果...
关键词：蒙特卡罗 单粒子翻转 器件仿真 LET值 
累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应敏感性研究被引量：2
《物理学报》2014年第1期379-384,共6页肖尧 郭红霞 张凤祁 赵雯 王燕萍 丁李利 范雪 罗尹虹 张科营 
电子薄膜与集成器件国家重点实验室(批准号:KFJJ201306)资助的课题~~
本文利用60Coγ源和兰州重离子加速器,开展不同累积剂量下,静态随机存储器(static random access memory,SRAM)单粒子效应敏感性研究,获取不同累积剂量下SRAM器件单粒子效应敏感性的变化趋势,分析其辐照损伤机理.研究表明,随着累积剂量...
关键词：累积剂量 单粒子效应 静态随机存储器 反印记效应 
纳米DDR SRAM器件重离子单粒子效应试验研究被引量：8
《强激光与粒子束》2013年第10期2705-2710,共6页罗尹虹 张凤祁 郭红霞 周辉 王燕萍 张科营 
针对90nm和65nm DDR(双倍数率)SRAM器件,开展与纳米尺度SRAM单粒子效应相关性的试验研究。分析了特征尺寸、测试图形、离子入射角度、工作电压等不同试验条件对单粒子翻转(SEU)的影响和效应规律,并对现有试验方法的可行性进行了分析。...
关键词：纳米SRAM 单粒子效应 多位翻转 测试图形 倾角 
质子和中子在硅中位移损伤等效性计算被引量：5
《强激光与粒子束》2013年第7期1803-1806,共4页王园明 郭晓强 罗尹虹 陈伟 王燕萍 郭红霞 张凤祁 张科营 王忠明 丁李利 闫逸华 赵雯 肖尧 
国家自然科学基金项目(11175271)
基于蒙特卡罗软件Geant4,探讨质子与硅的库仑散射和核反应及中子与硅的核反应产生反冲原子沉积非电离能量的过程,建立质子和中子在硅中的非电离能量阻止本领计算方法。在此方法中,描述了原子间库仑散射的物理过程,模拟带电粒子与晶格原...
关键词：中子 质子 硅 反冲原子 非电离能量阻止本领 
Flash ROM的X微束辐照试验研究及失效机理分析
《核技术》2013年第3期37-43,共7页闫逸华 陈伟 郭红霞 范如玉 邓玉良 郭晓强 丁李利 林东生 张科营 张凤祁 
国家自然科学基金项目(11175271)资助
Flash ROM芯片的存储阵列和外围电路均具有较高的辐射易损性,辐射损伤模式多样。为对其辐射敏感电路进行定位和分析,本文采用X射线微束开展局部辐照试验研究。分别研究了存储阵列,译码电路以及电荷泵等不同电路模块所引起的失效表征,利...
关键词：X射线微束 FLASH ROM 局域总剂量 错误位图映射 
GaN HEMT器件中子辐照效应实验研究被引量：5
《固体电子学研究与进展》2011年第6期540-544,共5页王燕萍 罗尹虹 张科营 王园明 
建立了GaN HEMT器件(氮化镓高电子迁移率晶体管)中子原位测试技术和辐照效应实验方法,开展了GaN HEMT器件脉冲反应堆中子辐照效应实验研究,重点研究了电离辐射和位移损伤对器件性能退化的影响,获取了GaN HEMT中子位移损伤效应敏感参数...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管 中子辐照 
EPROM脉冲总剂量损伤效应实验研究
《核电子学与探测技术》2011年第7期752-756,共5页罗尹虹 姚志斌 张凤祁 郭红霞 张科营 王园明 何宝平 
针对目前国内存储器辐照效应研究大多集中于功能测试,所测参数少的现状,提出了浮栅型存储器阈值电压的测试方法,并对浮栅型存储器EPROM初步开展了脉冲总剂量对器件阈值电压影响的效应研究,分析了损伤机理。研究结果表明,脉冲总剂量引起...
关键词：EPROM 阈值电压 脉冲总剂量 
GaN HEMT器件电子辐照效应研究被引量：6
《核技术》2011年第7期507-511,共5页罗尹虹 郭红霞 张科营 王圆明 张凤祁 
对GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件进行了0.8和1.2 MeV电子束的辐照效应研究。结果表明,0.8 MeV电子束对器件损伤甚于1.2 MeV电子束,饱和漏电流增大,阈值电压负向漂移主要是由于AlGaN层中电离辐射产生的俘获正电荷以及...
关键词：GAN HEMT 电子 非电离能损 
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