彭练矛

作品数：43被引量：83H指数：5
导出分析报告
供职机构：北京大学更多>>
发文主题：碳纳米管场效应晶体管晶体管碳基石墨烯更多>>
发文领域：一般工业技术电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《中国科学：技术科学》《电子显微学报》《材料热处理学报》《新材料产业》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
碳基集成电路技术研究进展与展望被引量：4
《数据与计算发展前沿》2021年第5期4-27,共24页许海涛 彭练矛 
国家自然科学基金委员会基础科学中心项目(批准号:61888102)。
【目的】人工智能、大数据等领域的发展对芯片算力和能效的要求越来越高,硅基芯片技术受到功耗墙、存储墙和尺寸缩减等限制,面临日益严峻的挑战,需要新的沟道材料和新的芯片架构推动信息电子产业的继续向前,碳纳米管CMOS技术是目前最具...
关键词：碳纳米管 晶体管 集成电路 弹道输运 三维单片集成 
无掺杂制备新技术：中国碳基电子器件研究“换道超车”
《前沿科学》2018年第3期54-56,共3页彭练矛 
芯片是信息科技的基础与推动力。然而，现有的硅基芯片制造技术即将触碰其极限，碳纳米管技术被认为是后摩尔技术的重要选项。相对于传统的硅基CMOS晶体管，碳纳米管晶体管具有明显的速度和功耗综合优势。
关键词：新技术 电子器件 CMOS晶体管 芯片制造技术 超车 碳基 中国 制备 
高性能石墨烯霍尔传感器被引量：8
《物理学报》2017年第21期205-222,共18页黄乐 张志勇 彭练矛 
国家重点研发计划纳米科技重点专项项目(批准号:2016YF0201900);国家自然科学基金(批准号:61390504,61621061);北京市科学技术委员会先导与优势材料创新项目(批准号:D161100002616001-3)资助的课题~~
本文回顾了石墨烯霍尔传感器的相关研究工作.通过改善石墨烯生长转移和霍尔元件的微加工工艺,石墨烯霍尔元件和霍尔集成电路都展示出超越传统霍尔传感器的优异性能.石墨烯霍尔元件的灵敏度、分辨率、线性度和温度稳定性等重要指标都优...
关键词：石墨烯 霍尔传感器 霍尔元件 霍尔集成电路 
2020年之后的电子学:碳基电子学的机遇和挑战被引量：3
《科学》2016年第2期11-15,4,共5页彭练矛 
硅基CMOS技术将在2020年达到其性能极限。国际半导体技术路线图委员会推荐碳基纳电子学（包括碳纳米管和石墨烯）作为可能在未来5-10年显现商业价值的下一代电子技术。本文将对碳纳米管电子学的优势进行简要的介绍，并着重对碳纳米管电...
关键词：电子学 碳纳米管电子学 纳米电子学 国际半导体技术路线图 碳基集成电路 CMOS技术 
碳纳米管薄膜晶体管中的接触电阻效应被引量：2
《物理化学学报》2016年第4期1029-1035,共7页夏继业 董国栋 田博元 严秋平 韩杰 邱松 李清文 梁学磊 彭练矛 
国家自然科学基金(61321001);北京市科学技术委员会(Z141100003814006);教育部(113003A)资助项目~~
利用不同功函数的金属作为接触电极,研究了网络状碳纳米管薄膜晶体管(CNT-TFT)的接触电阻效应。研究表明金属Pd与碳纳米管薄膜形成良好的欧姆接触,Au则形成近欧姆接触,这两种接触的器件的开态电流和迁移率较高。Ti和Al都与碳纳米管薄膜...
关键词：碳纳米管 薄膜晶体管 接触电阻 欧姆接触 肖特基势垒 
碳基集成电路的研发优势与发展现状被引量：3
《新材料产业》2015年第8期30-34,共5页梁世博 张志勇 彭练矛 
传统的硅基半导体技术正临近发展极限，信息产业即将面对重要历史转折点，这也是中国信息产业界前所未有的机遇。伴随着可移动智能设备、云存储和大数据处理的广泛应用，迅速发展的信息产业对未来的半导体芯片和信息处理技术提出了前所...
关键词：集成电路 半导体芯片 优势 研发 碳基 信息产业 信息处理技术 智能设备 
一种改进的控制流差错检测和恢复机制研究
《计算机应用研究》2015年第8期2382-2386,共5页程艳艳 彭练矛 
国家自然科学基金重点资助项目(61321001/F01)
运行于处理器上的进程如果在运行期间发生暂态故障,有可能导致严重的系统故障或安全漏洞。因此,必须在对系统造成损害前检测并尽量纠正这些差错。现有的差错检测方法虽然潜在性能优异,但是成本极高,因此无法在实践中部署。为了解决这一...
关键词：处理器 故障 控制流 检测 开销 
转移过程对CVD生长的石墨烯质量的影响
《科学通报》2014年第33期3322-3328,共7页梁学磊 李伟 CHENG GuangJun CALIZO Irene HACKER Christina A HIGHT WALKER Angela R RICHTER Curt A 彭练矛 
国家重大科学研究计划(2011CB921904);教育部科学技术研究项目(113003A)资助
利用化学气象沉淀法(CVD)在金属衬底上生长的石墨烯制备电子器件需要先把石墨烯转移到绝缘基底上,转移过程对器件制备的成功率和性能的均匀性有重要影响.转移过程中导致的石墨烯破损和金属生长基底残余颗粒污染受到普遍重视,然而由金属...
关键词：石墨烯 转移 污染 拉曼光谱 XPS 
石墨烯霍尔元件被引量：2
《科学通报》2014年第33期3212-3223,共12页张怡玲 陈冰炎 黄乐 徐慧龙 张志勇 彭练矛 
国家自然科学基金(61321001,61390504);国家重点基础研究发展计划(2011CB933001,2011CB933002)资助
回顾了石墨烯霍尔元件的现状,并展望了其应用前景.石墨烯霍尔元件能够充分发挥石墨烯材料迁移率高和单原子薄层等优势,规避其没有带隙或者小带隙的缺陷,其主要的性能包括灵敏度、线性度、分辨率、温度稳定性等都超过了基于传统半导体材...
关键词：石墨烯 传感器 霍尔元件 迁移率 集成电路 
碳基纳电子材料与器件被引量：5
《中国科学：技术科学》2014年第10期1071-1086,共16页彭练矛 张志勇 王胜 梁学磊 
国家重点基础研究发展计划纳米研究基金(编号:2011CB933000);国家自然科学基金创新研究群体基金(编号:61321001);北京市科学技术委员会基金(编号:Z131100003213021;Z141100003814006)资助
现代信息技术的基石是集成电路芯片,而构成集成电路芯片的器件中约90%是源于硅基CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor,互补金属-氧化物-半导体)技术.经过半个世纪奇迹般的发展,硅基CMOS技术即将进入14 nm技术节点,并将在2020...
关键词：碳基纳电子技术 纳电子材料 纳米电子 纳米光电子 
全选清除导出
共5页<12345>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部