杨磊

作品数：18被引量：35H指数：3
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：低噪声放大器微波单片集成电路砷化镓高集成芯片更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《电子与封装》《电信科学》《固体电子学研究与进展》《通讯世界》更多>>
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双模式高集成负电荷泵电路设计
《固体电子学研究与进展》2020年第1期53-59,共7页李亚军 李晓鹏 张有涛 刘洁 陈新宇 杨磊 
提出了一种新颖的双模式高集成开关电容电荷泵。该电荷泵集成高频振荡器、电平移位、逻辑驱动以及4个功率MOSFET开关。与传统电荷泵相比,该电路可以工作在单电源以及双电源两种模式。单电源模式下,输出电压为-VCC;双电源模式下,输出电压...
关键词：负电荷泵 双模式 高集成 开关电容 
一款用于5 G功率放大器的分段线性温度补偿偏置电路被引量：1
《固体电子学研究与进展》2019年第3期207-213,共7页李亚军 李晓鹏 张有涛 蒋东铭 陈新宇 杨磊 
新一代宽带无线移动通信网络科技重大专项资助项目(2017ZX03001023)
实现了一款用于功率放大器的具有温度补偿特性的偏置电路,首先通过正温度系数(PTAT)电流与负温度系数(NTAT)电流对功率放大器所需的偏置电流进行线性温度补偿,然后在线性补偿的基础上引入分段设计,实现分段线性温度补偿,保证全温范围内...
关键词：偏置电路 功率放大器 温度补偿 分段线性温度补偿 电流舵 
L波段大功率开关的研制被引量：1
《电子与封装》2016年第7期34-38,共5页孟向俊 杨磊 黄贞松 宋艳 许庆 
根据高功率、低插损、高隔离的要求,选择串并联电路形式对这些指标做折衷处理。采用多芯片模块组装工艺,把PIN管芯片通过焊料烧结在氮化铝基板上。相比于传统基板材料,氮化铝陶瓷基板导热性能优良,无需加装散热器,使电路尺寸减小,制作...
关键词：多芯片模块 氮化铝陶瓷基板 大功率开关 
一种C波段低相噪锁相频率源的研制被引量：1
《固体电子学研究与进展》2015年第5期453-457,共5页苗一新 曾瑞锋 杨磊 许庆 
提出了一种采用同轴介质谐振压控振荡器(CDRVCO)模式的锁相频率源设计方案,利用其低相噪、高Q值和高频率稳定度的优点,通过对锁相源合理的电路设计、仿真与实验,研制了一款C波段低相噪、单点频率为7 850 MHz的频率源。对样品的测试表明...
关键词：同轴介质谐振压控振荡器 环路滤波器 相位噪声 
一种高集成射频接收前端被引量：4
《固体电子学研究与进展》2015年第4期352-356,共5页黄贞松 宋艳 许庆 杨磊 
国家发改委资助项目(电科产[2008]155号)
采用氮化铝陶瓷基板、硅外延法制作的PIN二极管芯片、砷化镓工艺单片低噪声放大器、硅集成驱动芯片、多芯片组件工艺技术设计的接收前端,在1-4GHz频带内插入损耗小于0.4dB,可通过连续波功率80 W,噪声系数小于1.0dB,增益大于30dB,1dB压...
关键词：氮化铝陶瓷 砷化镓 多芯片组件工艺 硅集成驱动芯 接收前端 
K波段低噪声放大器芯片被引量：1
《通讯世界》2015年第7期74-75,共2页艾萱 徐光 郑远 陈新宇 前锋 杨磊 
设计一款K波段低噪声放大器芯片，采用0．15μmPHEMT工艺，工作频段：22～23GHz，增益大于17dB，噪声系数小于2．4dB，1dB功率压缩点大于7dBm，输入／输出电压驻波比小于2，偏置电压5V，静态工作电流12mA，具有极低功耗。
关键词：低噪声放大器 砷化镓 赝配高电子迁移率场效应晶体管 微波单片集成电路 
用于数字相控阵雷达收发组件的0.7~4.0GHz SOI CMOS有源下混频器
《固体电子学研究与进展》2015年第2期145-149,160,共6页陈亮 陈新宇 张有涛 杨磊 
基于0.18μm SOI CMOS工艺设计了一款用于数字相控阵雷达的宽带有源下混频器。该混频器集成了射频、本振放大器、Gilbert混频电路、中频放大器以及ESD保护电路。该芯片可以直接差分输出,亦可经过片外balun合成单端信号后输出。射频和本...
关键词：绝缘体硅互补型金属氧化物半导体 有源混频器 宽带 
用于雷达T/R组件的SOI CMOS工艺射频芯片被引量：1
《固体电子学研究与进展》2015年第2期F0003-F0003,共1页陈亮 陈新宇 张有涛 杨磊 
南京电子器件研究所国博电子有限公司基于0．18umSOICMOS工艺研制了多款用于相控阵雷达的射频芯片，包括1-1．7GHz有源下混频器、0．7～4GHz有源下混频器、X波段6位移相器和X波段5位衰减器，芯片照片见图1。下混频器集成了射频、本振放...
关键词：相控阵雷达 射频芯片 T/R组件 CMOS工艺 南京电子器件研究所 SOI ESD保护电路 中频放大器 
应用于WLAN InGaP/GaAs HBT线性功率放大器被引量：3
《固体电子学研究与进展》2015年第1期46-51,共6页何旭 郑远 朱彦青 陈新宇 杨磊 
设计了一款基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺的移动通信用高线性功率放大器,应用于移动终端WLAN 802.11b/g/n 2.4-2.5GHz。整个放大器芯片由三级放大电路构成,芯片面积为1.9mm×1.7mm。在VCC=Vbias=＋5V、VReg=VPdown=＋2.85V双电源供电条件...
关键词：无线局域网 线性功率放大器 异质结双极型晶体管 误差矢量幅度 
4 bit相位量化ADC设计与实现被引量：1
《固体电子学研究与进展》2014年第3期206-210,共5页张敏 张有涛 李晓鹏 陈新宇 杨磊 
分析了应用于DRFM系统的4bit相位ADC原理并介绍了一种4bit相位ADC电路结构,该电路采用类似于幅度ADC的Flash拓扑在标准半导体工艺下设计并实现,芯片面积2.3mm×1.7mm,功耗620mW,数字输出满足LVDS电平标准。测试结果显示该ADC瞬时带宽高...
关键词：模数转换器 相位量化 数字射频存储器 瞬时带宽 
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