云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 邹泽亚

邹泽亚: 作品数：12被引量：19H指数：3; 导出分析报告; 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>; 发文主题：MOCVDALNP型GANMOCVD生长蓝宝石衬底更多>>; 发文领域：电子电信理学电气工程机械工程更多>>; 发文期刊：《半导体光电》《功能材料》《Journal of Semiconductors》更多>>; 所获基金：重庆市科技攻关计划更多>>

基于探测器阵列组件的光斑辅助定位系统的设计: 《半导体光电》2012年第4期600-602,共3页曾铮孙诗邹泽亚徐道润陈春霞; 设计并实现了一种基于探测器阵列组件的光斑辅助定位系统。该系统以120元Si-PIN探测器作为光电传感器,将其排列为正方形,由120路光电转换电路将每个光电传感器采集到的电流信号转换为电压信号并与预先设置的阈值电平进行比较,以判断该...; 关键词：光电探测器阵列 USB接口光斑辅助定位

光电探测器组件辐照后性能退化的噪声表征: 《半导体光电》2011年第5期634-635,727,共3页张兴王品红但伟曹飞陈春霞邹泽亚李祖安; 本文用爆裂噪声表征总剂量电离辐射(TID)对光电探测器组件的损伤情况。通过对辐照前后的光电探测器组件进行噪声测试,然后对比分析其结果。实验结果表明,总剂量辐照后,相对于辐照前,光电探测器组件内部明显出现了爆裂噪声,即组件内部出...; 关键词：总剂量电离辐射爆裂噪声损伤情况可靠性

多象限光探测器组件研究: 《半导体光电》2010年第6期864-865,869,共3页谭千里徐道润邹泽亚鲁卿曹飞; 介绍了多象限探测器光敏面的设计,讨论了简易制导用多象限光探测器组件的特点。设计了一种新型九象限探测器及其组件,结果表明该器件具有响应速度快、抗冲击能力强等特点。; 关键词：激光简易制导多象限探测器九象限探测器组件

GaAs基Ⅲ-Ⅴ族多结太阳电池技术研究进展被引量：8: 《半导体光电》2009年第5期639-646,652,共9页周勋罗木昌赵红周勇刘万清邹泽亚; GaAs太阳电池由于其性能优越,成为了光伏领域的发展重点。简单介绍了GaAs基Ⅲ-Ⅴ族多结太阳电池的应用和研究进展,并对其发展趋势进行了展望。; 关键词：GAAS Ⅲ-Ⅴ族多结太阳电池光伏技术

Al_xGa_(1-x)N日盲紫外探测器及其焦平面阵列被引量：5: 《半导体光电》2009年第1期21-24,共4页赵文伯赵红叶嗣荣黄烈云唐遵烈罗木昌杨晓波廖秀英向勇军邹泽亚; 报道了320×256元AlxGa1-xN日盲型紫外探测器及其焦平面阵列探测器的研制情况，介绍了材料生长、器件制备工艺和器件的光电特性。器件的开启电压大于3．5V，-0．5V偏压时暗电流小于1．2×10^-12A（φ=300ttm台面），光谱响应范围260～28...; 关键词：ALXGA1-XN 日盲探测器紫外焦平面阵列 PIN光电二极管

二次退火对P型GaN的应变影响: 《半导体光电》2008年第3期374-378,共5页周勋左长明邹泽亚廖秀英姬洪罗木昌刘挺赵红; 采用LP-MOCVD在蓝宝石基片上外延生长了Mg掺杂p-GaN,并对样品进行了退火处理。利用高分辨X射线衍射(HRXRD)对经不同退火时间处理后的样品进行了测试分析,从应变的角度对p型GaN中的杂质和缺陷行为特性进行了分析和探讨。结果表明:p型GaN...; 关键词：GAN Mg掺杂退火应变 HRXRD

A Solar-Blind AlGaN-Based p-i-n Back-Illuminated Photodetector with a High Temperature AlN Template Layer: 《Journal of Semiconductors》2008年第1期20-23,共4页邹泽亚杨谟华刘挺赵文伯赵红罗木昌王振; The growth, fabrication, and characterization of a solar-blind A1GaN-based p-i-n back-illuminated photodetector with a high temperature A1N template are reported for the first time. The photodetector was fabricated fr...; 关键词：solar-blind high temperature A1N template back-illuminated photodetector p-ion

高温AlN模板上p型GaN的生长研究: 《Journal of Semiconductors》2008年第1期128-132,共5页刘挺邹泽亚王振赵红赵文伯罗木昌周勋杨晓波廖秀英; 重庆市科技攻关计划资助项目(批准号:2005AA4006-B7)~~; 利用低压金属有机物化学气相沉积技术,采用均匀掺杂和渐变Mg-δ掺杂方法,分别在氮化镓(GaN)和高温氮化铝(HT-AlN)模板上,生长了p型GaN外延材料.生长后,双晶X射线衍射和霍尔测试结果表明:HT-AlN模板上采用渐变Mg-δ掺杂方法生长的p型GaN...; 关键词：高温A1N 渐变δ掺杂均匀掺杂金属有机物化学气相沉积 P型GAN

蓝宝石衬底上AlGaN外延材料的低压MOCVD生长: 《半导体光电》2007年第6期800-803,共4页赵红邹泽亚赵文伯杨晓波刘挺廖秀英王振周勇刘万清; 采用低温AlN成核层在1180℃温度下在(0001)蓝宝石衬底上用低压MOCVD设备生长了AlGaN外延层。Al组分高达0.6、厚度大于1μm的AlGaN外延层表面光亮,晶体质量较好,(0002)X射线衍射回摆曲线半峰宽FWHM为853弧秒。当反应室气压从5×103Pa降到...; 关键词：MOCVD ALGAN 低温核化层

p型GaN的渐变δ掺杂研究被引量：2: 《半导体光电》2007年第6期825-828,共4页邹泽亚刘挺王振赵红赵文伯罗木昌杨谟华; 重庆市科技攻关项目(2005AA8006-B7); 采用MOCVD技术及渐变-δMg掺杂方法生长了p型GaN薄膜,对样品进行了两步退火处理以对Mg进行激活。通过Hall测试发现,经过950℃下的第一次退火后,样品空穴浓度为1.64×1016cm-3,电阻率为77.9Ω.cm。经过750℃下的第二次退火后,样品的空穴...; 关键词：渐变δ掺杂 Mg掺杂 P型GAN 两步退火 MOCVD

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