金作霖

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：国防科学技术大学计算机学院更多>>
发文主题：氧SRAM单元纳米级电荷分析软错误更多>>
发文领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
发文期刊：《计算机工程与科学》更多>>
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Cache动态插入策略模型研究
《计算机工程与科学》2013年第10期159-165,共7页石文强 倪晓强 金作霖 张民选 
国家自然科学基金资助项目(60970036;61003075)
多核下,末级Cache容量、组相联数不断增大,传统Cache替换算法LRU会出现Cache死块增多、Cache有效利用率下降等问题。Cache动态插入策略可以有效地避免LRU算法中出现的这些问题,因而受到了广泛的关注。但是,目前对Cache插入策略的研究只...
关键词：多核Cache Cache替换策略 动态插入策略 递归概率模型 
栅氧退化效应下纳米级SRAM单元临界电荷分析被引量：1
《计算机工程与科学》2013年第8期20-24,共5页金作霖 张民选 孙岩 石文强 
国家自然科学基金资助项目(60970036)
集成电路工艺已经发展到纳米量级。在纳米级工艺下,芯片集成度不断提高,电压不断降低,软错误问题已经开始对地面的集成电路产生影响。与此同时,晶体管的氧化层随着特征尺寸的降低越来越薄,在较高的电场压力下栅氧退化效应越来越严重。...
关键词：栅氧退化 软错误 SRAM单元 临界电荷 软错误率 
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