云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 刘瑞喜

刘瑞喜: 作品数：13被引量：11H指数：2; 导出分析报告; 供职机构：兰州大学更多>>; 发文主题：静电感应晶体管静电感应晶闸管静电感应器件SITSITH更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《半导体技术》《兰州大学学报（自然科学版）》《电力电子技术》《Journal of Semiconductors》更多>>; 所获基金：国家重点基础研究发展计划更多>>

Measurement of Cavity Loss and Quasi-Fermi-Level Separation for Fabry-Pérot Semiconductor Lasers: 《Journal of Semiconductors》2003年第8期789-793,共5页韩春林刘瑞喜国伟华于丽娟黄永箴; 国家重点基础研究发展规划资助项目(No.G2 0 0 0 0 3 660 5 )~~; A fitting process is used to measure the cavity loss and the quasi Fermi level separation for Fabry Pérot semiconductor lasers.From the amplified spontaneous emission (ASE) spectrum,the gain spectrum and single ...; 关键词：semiconductor lasers measurement technique cavity loss

静电感应晶体管(SIT)电性能参数的研究: 《兰州大学学报（自然科学版）》2000年第2期37-43,共7页孟雄晖李思渊刘瑞喜; 甘肃省"九五"科技攻关重点!(JX-9742-48A)资助项目; 讨论了 SIT(静电感应晶体管 )的基本电性能参数以及它们之间的关系 .通过这些电参数对器件 I- V特性的影响 ,系统地研究了为改善器件电性能应对各参数进行怎样的调控 ,以便为在SIT的制造中调整好器件的结构。; 关键词：静电感应晶体管电性能参数电流-电压特性

100A/1200V静电感应晶闸管的设计被引量：1: 《兰州大学学报（自然科学版）》1999年第4期44-47,共4页李思渊黄仕琴薛传明刘瑞喜张明兰梁元涛; 分析了电力静电感应晶闸管的主要电参数与器件结构的关系，结合制管经验进行了１００Ａ／１２００Ｖ器件的结构（版图）设计、工艺设计，给出了有关结果．; 关键词：静电感应晶闸管电参数结构参数设计 SITH

100A/1200V静电感应晶闸管参数设计的探讨: 《电力电子技术》1999年第3期51-53,共3页薛传明李思渊刘瑞喜黄仕琴; 讨论了电力静电感应晶闸管的主要电参数与器件结构的关系，以及电参数的工艺调节。设计了１００Ａ／１２００Ｖ的器件并给出了研制结果。; 关键词：晶闸管静电感应晶闸管电参数参数设计

SIT耐压容量的控制和工艺调节被引量：4: 《半导体技术》1998年第4期19-22,共4页刘瑞喜李思渊何山虎; 对静电感应晶体管（ＳＩＴ）栅－漏、栅－源击穿电压的控制和工艺调节方法进行了探讨，对栅－源连通和栅－漏耐压的钳位问题进行了分析。; 关键词：SIT 耐压静电感应晶体管制造工艺

静电感应晶体管(SIT)电性能的控制被引量：1: 《甘肃教育学院学报（自然科学版）》1998年第1期32-39,共8页李思渊刘瑞喜李海蓉; 静电感应晶体管（SIT）的I－V特性（包括类三极管、类五极管以及三一五极管的混合特性）与器件的结构密切相关．沟道长度lc、沟道宽度dc、比值lc／dc以及沟道掺杂浓度ND等均为确定SIT运用方式的重要参数．如何控制这些参数并达到最佳匹...; 关键词：静电感应晶体管电性能 SIT 沟道长度沟道宽度

静电感应晶体管I-V特性的控制被引量：3: 《半导体技术》1998年第3期14-18,共5页刘瑞喜李思渊; 静电感应晶体管（ＳＩＴ）的Ｉ－Ｖ特性（包括类三极管、类五极管以及三－五极管的混合特性）与器件的结构及参数密切相关。沟道长度ｌｃ、沟道厚度ｄｃ、比值ｌｃ／ｄｃ以及沟道掺杂浓度ＮＤ等均为确定ＳＩＴ工作方式的重要参数。给出...; 关键词：静电感应晶体管 I-V特性 SIT 晶体管

复合结构的静电感应器件被引量：2: 《应用科学学报》1996年第2期243-247,共5页李思渊刘肃刘瑞喜杨建红; 复合结构的静电感应器件李思渊，刘肃，刘瑞喜，杨建红（兰州大学）关键词静电感应器件，复合结构，Ｉ～Ｖ特性表面栅结构（Ｓ－－８）和埋栅结构（ＨＳ）作为静电感应器件的基本结构已由若干作者进行过研究”－”．近几年我们采用了一...; 关键词：静电感应器件复合结构 I^V特性

BSIT开启特性的研究被引量：1: 《兰州大学学报（自然科学版）》1996年第2期37-45,共9页李思渊刘瑞喜李成刘肃杨建红韩永召; 双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）以其高电流增益，低饱和压降以及高的开关速度等优异性能受到人们的广泛关注．但对其作用机制，特别是正栅压下的开启特性还需进一步深入研究．在实验观测的基础上，对ＢＳＩＴ开通过程进行了理论分析...; 关键词：模拟双极型静电感应晶体管开启特性

BSIT开态的数值分析被引量：1: 《半导体技术》1996年第1期33-39,共7页李思渊刘瑞喜李成韩永召刘肃; 甘肃省重大科技资助; 对双极模式静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）开通过程的理论分析和二维数值模拟清楚地表明，ＢＳＩＴ的完全开通须经过不同作用机制的两个阶段的转变，即正向小栅压（ＶＧ＜０．５Ｖ）下的势垒控制机制转变为大栅压下（ＶＧ＞０．５Ｖ）的少...; 关键词：双极模式静电感应晶体管 BSIT 数值模拟

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