张立军

作品数：19被引量：31H指数：3
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发文领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程文化科学更多>>
发文期刊：《高技术通讯》《微电子学》《电子学报》《微电子学与计算机》更多>>
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基于SSA-RF的功耗预测被引量：2
《微电子学与计算机》2023年第6期109-116,共8页谢东东 张立军 严雨灵 柴永剑 马利军 
国家自然科学基金(61272105)。
随机森林具有训练速度快、不容易过拟合、易于实现等优点成功应用于各种领域.针对在芯片设计后仿阶段需要对不同存储存储单元大小、电压、温度等情况进行功耗测试,并且测试一次的时间很长的问题,提出了一种基于麻雀搜索算法(SSA)与随机...
关键词：功耗 麻雀搜索算法 随机森林 
SRAM冗余存储阵列分析与控制电路设计
《电视技术》2019年第6期80-83,90,共5页陈泽翔 张立军 张强 
SRAM存储阵列设计制造时常使用工艺允许的最小晶体管以提高面积效率,因此极易因工艺参数变化从而导致器件失配。而为提高存储阵列良率,本文提出一种在存储阵列中加入冗余行和冗余列存储单元的方式,并设计相应的冗余存储阵列控制电路。...
关键词：存储阵列纠错 SRAM 冗余控制 
一种基于耦合线的高频带通滤波器设计被引量：1
《电视技术》2019年第5期72-75,共4页姜鸿涛 鲁征浩 张立军 贲志红 
对于传统的LC滤波器来说,电感的Q值对带内的插损影响比较大,要想获得较低的插损就要求电感的Q值要足够高,但是高Q的电感是很难实现的。而且LC滤波器带外抑制性能的提高还需要更多的滤波器级联来实现,这将会加大版图面积。因此,本设计提...
关键词：滤波器 电感 耦合线 
一种适用于FinFET单存储单元的高效的动态故障测试算法被引量：2
《微电子学与计算机》2019年第4期17-22,共6页桑胜男 张立军 郑坚斌 彭增发 
FinFET作为现在最前沿的晶体管技术,在嵌入式存储器上得到了广泛应用.但是,新的工艺也带来了新的缺陷.Synopsys公司通过故障建模及测试发现:FinFET存储器比平面存储器对动态故障更敏感.而经典的测试算法仅仅针对静态故障.目前关于动态...
关键词：SRAM MARCH算法 动态故障 故障原语 MBIST 
一种新型存储器测试辅助分析方法
《微电子学与计算机》2019年第2期93-96,共4页顾昌山 张立军 郑坚斌 彭增发 于跃 
为了解决存储器测试数据映射到失效存储单元效率较低且精确度不够的问题,本文提出一种存储器测试辅助分析的方法:首先通过修改存储器编译器(memory compiler),使其自动生成存储阵列版图的物理坐标文件(bitmap).然后将测试得到的存储单...
关键词：存储器 失效存储单元 版图坐标文件 寻址 坐标二维图像 
基于AOCV的低功耗标准单元设计被引量：3
《电子设计工程》2017年第7期134-138,共5页张振鹏 张立军 郑坚斌 于跃 索超 李有忠 
国家自然科学基金(61272105)
近年来,物联网和移动互联网为代表的应用芯片提出了越来越高的功耗要求。降低工作电压是降低功耗的有效方法,但是随着电压的降低,电路的性能也会急剧下降。针对这一问题,本文运用AOCV的时序分析方法,使得电路设计在保证性能的基础上,最...
关键词：低功耗 工艺偏差 AOCV 时序裕量 PrimeTime 标准单元 
基于字线负偏压技术的低功耗SRAM设计被引量：3
《电子设计工程》2017年第8期115-118,123,共5页冯李 张立军 郑坚斌 王林 李有忠 张振鹏 
国家自然科学基金项目(61272105;61076102)
随着工艺节点的进步,SRAM中静态功耗占整个功耗的比例越来越大,纳米尺度的IC设计中,漏电流是一个关键问题。为了降低SRAM静态功耗,本文提出一种字线负偏压技术,并根据不同的工艺角,给出最合适的负偏压大小,使得SRAM漏电流得到最大程度...
关键词：静态功耗 低功耗 SRAM 字线负偏压 
基于补偿电路的SRAM读操作跟踪电路设计
《电子设计工程》2015年第9期8-11,共4页李二亮 张立军 李有忠 张其笑 姜伟 胡玉青 
国家自然科学基金资助项目(61272105)
在传统静态随机存储器(SRAM)读操作跟踪电路中,生产工艺和温度的偏差会直接影响到对SRAM中存储数据的正确读取。因此,在本文中,我们采用工艺拐点补偿和温度补偿的方法,设计出了新型SRAM读操作跟踪电路。所设计跟踪电路,通过在不同工艺...
关键词：静态随机存取存储器 工艺拐点补偿 温度补偿 读操作跟踪电路 蒙特卡罗 
采用钳位二极管的新型低功耗SRAM的设计被引量：1
《高技术通讯》2014年第2期171-176,共6页张立军 吴晨 王子欧 毛凌锋 
国家自然科学基金(61272105,61076102)资助项目
给出了一种设计低功耗静态随机存储器(SRAM)的技术,实现了在电路级与架构级层次上同时降低漏电流与动态功耗。该技术采用源极偏压结构控制漏电流,将一个钳位二极管与NMOS管并联插入GND与SRAM单元的源极之间,当NMOS打开时SRAM进行正常的...
关键词：静态随机存储器(SRAM) 低功耗 钳位二极管 漏电流 
一种适用于小尺寸工艺的SRAM单元设计被引量：1
《苏州大学学报（工科版）》2012年第3期51-55,共5页王媛媛 王子欧 张立军 
最近研究表明,静态存储器(SRAM)功耗是整个芯片功耗的重要组成部分,功耗问题在SRAM单元设计中成为一个日益重要的问题。提出了一种新的纳米级的高稳定性和低功耗应用技术,采用该技术的SRAM单元采用分开的读写机制。65nm CMOS工艺的仿真...
关键词：稳定性 低功耗 漏电流 SRAM设计 
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