梁东升

作品数：5被引量：2H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：谐振器滤波器腔体衬底薄膜体声波谐振器更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《微电子学》《半导体技术》《微纳电子技术》更多>>
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6GHz高频率FBAR滤波器
《半导体技术》2022年第7期549-553,共5页李亮 刘青林 付越东 梁东升 韩易 张玉明 
随着5G通信的普及和移动通信技术的不断进步,薄膜体声波谐振器(FBAR)也逐渐向高频、大带宽的方向发展。基于6英寸(1英寸=2.54 cm)微电子机械系统(MEMS)工艺平台,设计并实现了一款6 GHz FBAR滤波器。通过有限元仿真与Mason模型仿真,确定...
关键词：滤波器 高频 薄膜体声波谐振器(FBAR) 溅射工艺 微电子机械系统(MEMS) 
高抑制或低插损型卫星导航FBAR芯片设计
《半导体技术》2022年第6期488-492,共5页李亮 张仕强 梁东升 韩易 付越东 张玉明 
基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)硅基微电子机械系统(MEMS)加工工艺,采用薄膜体声波谐振器(FBAR)的结构,设计并加工了中心频率为1268.52 MHz的两款FBAR滤波器芯片,用于满足北斗卫星导航系统中不同位置的信号处理需求。通过改变电路结构和腔...
关键词：滤波器 薄膜体声波谐振器(FBAR) 微电子机械系统(MEMS) 高带外抑制 低插入损耗 
P波段900W脉冲功率LDMOS器件的研制被引量：2
《微电子学》2015年第4期541-544,共4页胡顺欣 何先良 王强栋 梁东升 李飞 邓建国 郎秀兰 李亮 
设计并制作了一种50V窄脉冲工作的P波段大功率横向扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(LDMOSFET)。在P波段、工作电压50V、工作脉宽100μs和占空比10%的工作条件下,该器件的带内输出功率大于900 W,功率增益大于18dB,漏极效率大于50%,...
关键词：LDMOS 硅 P波段 窄脉冲 
用于自对准Si MMIC的等平面深槽隔离工艺(英文)
《微纳电子技术》2013年第8期528-533,共6页苏延芬 梁东升 胡顺欣 邓建国 
研究了在自对准硅MMIC中等平面深槽隔离工艺的实现。该工艺包括如下过程:首先应用各向异性刻蚀的Bosch工艺刻蚀出用于隔离埋集电极的1.6μm宽、9μm深的隔离槽,接着对隔离槽通过热氧化二氧化硅、淀积氮化硅和多晶硅的形式进行填充,然后...
关键词：深槽隔离 各向异性刻蚀 等平面 自对准 微波单片集成电路(MMIC) 
应用于LOCOS隔离工艺的平坦化技术研究被引量：1
《半导体技术》2012年第6期460-463,共4页高渊 刘英坤 邓建国 梁东升 董军平 
介绍了LOCOS隔离技术的原理,研究了应用于LOCOS工艺的反刻平坦化技术,通过调整刻蚀中反应气体流量等工艺参数,在CHF3流量50 mL/min、O2流量2 mL/min条件下,获得了较好的平坦化表面。研究了应用于LOCOS工艺的CMP平坦化技术,通过调整CMP...
关键词：局部氧化隔离 化学机械抛光 反刻 抛光速率 选择比 
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