王晶

作品数：8被引量：21H指数：3
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：半导体激光器激光器波导MOCVD叠层更多>>
发文领域：电子电信金属学及工艺核科学技术更多>>
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一种低暗电流高响度InGaAs/InP pin光电探测器被引量：3
《微纳电子技术》2014年第4期214-218,248,共6页车相辉 张宇 宁吉丰 李洪涛 王晶 位永平 张豫黔 赵润 陈宏泰 
分析了InGaAs/InP pin光电探测器暗电流和响应度的影响因素,并对MOCVD外延工艺以及器件结构进行优化,从而提高器件响应度和降低暗电流。采用低压金属有机化学气相沉积设备(LP-MOCVD)成功制备了InGaAs/InP pin光电探测器,得到了高质量的...
关键词：INGAAS 光电探测器 暗电流 响应度 光纤通信 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 
976nm非对称波导结构高效率半导体激光器被引量：3
《微纳电子技术》2013年第5期281-285,297,共6页林琳 陈宏泰 徐会武 车相辉 王晶 位永平 
对976 nm激光器的三种非对称波导结构,即非对称直波导结构、非对称渐变波导结构和非对称梯形波导结构进行了基模光场和折射率分布的模拟,通过与对称波导结构的模拟结果进行对比,得到非对称直波导结构和非对称梯形波导结构的量子阱限制...
关键词：非对称波导 高效率 976nm 半导体激光器 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 
1.3μm AlGaInAs/InP量子阱激光器材料研究被引量：1
《微纳电子技术》2013年第4期220-223,共4页陈宏泰 车相辉 张宇 赵润 杨红伟 余般梅 王晶 位永平 林琳 
设计制作了适用于无致冷工作的通讯用1.3μm量子阱激光器材料,并制作成单模芯片进行特性分析研究。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺生长了AlGaInAs/InP应变补偿量子阱材料,采用此外延材料制作的脊宽为2.5μm脊形波导结构FP单模激...
关键词：1 3 μm FP激光器材料 无致冷 ALGAINAS INP MOCVD 
808nm高效率激光二极管被引量：1
《微纳电子技术》2011年第7期418-421,共4页陈宏泰 车相辉 林琳 位永平 王晶 黄科 张世祖 徐会武 王晓燕 杨红伟 安振峰 花吉珍 
目前808nm高效率激光二极管产品的转换效率只有50%左右,还有很大的提升空间。通过提高欧姆接触层浓度、界面渐变和波导层掺杂等方面的外延材料结构优化,减小附加电压和电阻值,设计制作了808nm大光腔应变量子阱外延材料;并制作了200μm...
关键词：高效率 激光二极管 808nm 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 大光腔 
976nm高效率半导体激光器被引量：5
《半导体技术》2011年第5期345-347,共3页安振峰 林琳 徐会武 陈宏泰 车相辉 王晶 位永平 
国家高科技研究发展计划(863计划)资助项目(2008AA000506)
976 nm高效率半导体激光器是这几年研究的热点,在固体激光器泵浦领域有广阔的应用。通过优化半导体激光器材料外延结构中包覆层和波导层的铝组分,降低了工作电压;通过采用微通道水冷系统,并进行优化降低了热阻,从而提高了室温下的电光...
关键词：高效率 半导体激光器 976nm 金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD) 线阵列 
900nm三叠层隧道级联激光器的结构优化研究被引量：4
《微纳电子技术》2010年第7期397-400,共4页林琳 陈宏泰 安志民 车相辉 王晶 
采用金属有机化合物气相淀积方法生长了900nm的三叠层隧道级联激光器。针对隧道级联激光器存在工作电压高、材料各层的光场耦合等问题,分别采用δ掺杂、扩展波导等技术对激光器结构进行了优化,并通过模拟计算对隧道结耗尽区宽度进行了...
关键词：三叠层 隧道结 半导体激光器 扩展波导 金属有机化合物气相淀积 结构优化 Δ掺杂 
高效率976nm激光器材料被引量：5
《微纳电子技术》2010年第1期29-32,共4页田秀伟 陈宏泰 车相辉 林琳 王晶 张世祖 徐会武 刘会民 王晓燕 杨红伟 安振峰 
使用自洽二维数字模拟软件优化半导体激光器的外延结构,对GaInAs/AlGaAs分别限制压应变单量子阱结构进行了模拟,研究了包层和波导层的Al组分对工作电压的影响。根据模拟结果,采用金属有机化学淀积(MOCVD)技术,外延生长了单量子阱976nm...
关键词：金属有机化学淀积 压应变 转换效率 自洽二维数字模拟 工作电压 AL组分 
InP基异质结界面暗电流C-V测试分析
《半导体技术》2008年第9期769-771,779,共4页林琳 刘英斌 陈宏泰 王晶 崔琦 
采用电化学C-V测试方法,测量分析了InP/InGaAs/InP外延结构的I-V特性,对异质结界面的电学性质进行了表征和分析。采用LP-MOCVD生长技术,对不同界面生长条件的三种样品进行了I-V和XRD测试,得到了InP向InGaAs界面转换采用中断生长、InGaAs...
关键词：暗电流 电化学C-V I-V特性 异质结界面 
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