赵淑云

作品数：14被引量：29H指数：3
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供职机构：香港科技大学更多>>
发文主题：多晶硅多晶硅薄膜金属诱导晶化薄膜晶体管多晶硅薄膜晶体管更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《液晶与显示》《电子器件》《Journal of Semiconductors》《电子学报》更多>>
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搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管被引量：1
《液晶与显示》2013年第4期471-478,共8页郭海成 周玮 陈荣盛 赵淑云 张猛 王文 陈树明 周南云 
香港研究资助局主题研究计划项目(No.T23-713/11-1)
提出了一种薄膜晶体管的新结构。这种新结构充分发挥了短沟道效应和多结效应的优点。通过器件模拟,验证了此种器件结构的物理机制。通过应用这种新结构,薄膜晶体管的阈值电压、伪亚阈值斜率、开关电流比和场效应迁移率都大幅改善,并且...
关键词：搭桥晶粒 多晶硅 薄膜晶体管 
基于溶液法的规则排列连续晶畴的金属诱导多晶硅薄膜及薄膜晶体管(英文)被引量：1
《液晶与显示》2010年第3期333-338,共6页赵淑云 孟志国 王文 郭海成 
香港SAR研究基金会资助项目(No.614807)
介绍了一种新的金属诱导多晶硅技术。该技术的核心是预设规则化晶核定位孔和镍源补充孔与溶液浸蘸技术的结合。以定位孔为晶化的起始点,晶化过程中消耗的镍可通过分布在周边的镍源补充孔中的镍给予补充。这样可以大大降低晶核定位孔中...
关键词：金属诱导晶化 规则排列连续晶畴 薄膜晶体管 低温多晶硅 
用镍硅氧化物源横向诱导晶化的多晶硅薄膜被引量：2
《物理学报》2010年第4期2775-2782,共8页刘召军 孟志国 赵淑云 郭海成 吴春亚 熊绍珍 
国家自然科学基金重点项目(批准号:60437030);天津市自然科学基金(批准号:05YFJMJC01400)资助的课题~~
采用磁控溅射法,以镍硅合金为靶,制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源——自缓释镍源.该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源.采用该镍源制备低温多晶硅材料,晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度,且晶化多晶硅膜内...
关键词：自缓释 金属诱导横向晶化 多晶硅薄膜 低温制备与退火 
基于溶液法的金属诱导碟型晶畴多晶硅薄膜和薄膜晶体管的研究(英文)被引量：1
《液晶与显示》2009年第6期812-817,共6页赵淑云 孟志国 吴春亚 王文 郭海成 
Supported by Hong Kong SAR Research Grants Council Grants(No.614807)
以非晶硅为晶化前驱物,采用镍盐溶液浸沾的方法可以得到超大尺寸碟型晶畴结构的低温多晶硅薄膜。所得多晶硅薄膜的平均晶畴尺寸大约为50μm,空穴的最高霍尔迁移率为30 .8 cm2/V.s ,电子的最高霍尔迁移率为45 .6 cm2/V.s。用这种多晶硅...
关键词：碟型晶畴多晶硅薄膜 多晶硅TFTs TFT稳定性 
基于AM-OLED基板的拓展多晶硅薄膜功能层的研究
《Journal of Semiconductors》2008年第12期2393-2397,共5页李阳 赵淑云 吴春亚 孟志国 王忆 熊绍珍 
国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA303570);国家自然科学基金(批准号:60437030)资助项目~~
在有源寻址有机发光二极管(active matrix organic light emitting diode,AM-OLED)显示基板中,将电学功能层——薄膜晶体管(thin fil mtransistor,TFT)有源层材料p型掺杂金属诱导晶化(metal induced crystallized,MIC)多晶硅(p+-MIC pol...
关键词：P型掺杂多晶硅薄膜 微腔 多晶硅薄膜功能层 AM-OLED基板 
自缓释镍源的横向诱导晶化多晶硅薄膜晶体管被引量：3
《Journal of Semiconductors》2008年第10期2009-2013,共5页刘召军 孟志国 赵淑云 王文 郭海成 吴春亚 熊绍珍 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60437030)~~
以镍硅合金靶作为溅射源,采用磁控溅射方法制备了一种自缓释镍源.控制合适的自缓释镍源的准备条件,以单一方向横向晶化条件对非晶硅薄膜进行再晶化,可以获得低残余镍含量、大晶粒、高薄膜质量的多晶硅.以此多晶硅为有源层进行了薄膜晶...
关键词：金属诱导横向晶化 多晶硅薄膜 低温制备 退火处理 
微晶硅材料及其薄膜晶体管的研究(英文)
《电子器件》2008年第1期130-134,共5页李娟 李阳 吴春亚 孟志国 赵淑云 熊绍珍 张丽珠 
“863”Project of National Ministry of Science and Technology (2004AA33570);Key Project of NSFC (60437030);Tianjin Natural Science Foundation(05YFJ MJC01400)
本文在微晶硅材料性能研究的基础上制备了微晶硅薄膜晶体管(TFT)。发现微晶硅的柱状生长模式会导致其结构和电学性能的不均匀性。由于材料的柱状生长模式使得其晶化百分比、晶粒尺寸和暗电导受到薄膜厚度的调制。平行于衬底和垂直于衬...
关键词：微晶硅 薄膜晶体管 结构和电学各向异性 自恢复现象 
底栅微晶硅薄膜晶体管被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第7期1246-1250,共5页李娟 张晓丹 刘建平 赵淑云 吴春亚 孟志国 张芳 熊绍珍 
国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA303570);国家自然科学基金(批准号:660437030);天津市自然科学基金(批准号:05YFJMJC01400)资助项目~~
对底栅微晶硅TFT的微晶硅材料生长孵化层问题进行了详细讨论,发现低硅烷浓度是减薄该层厚度的有效途径.同时又发现,以SiNx为栅绝缘层的底栅TFT,对随后生长的硅基薄膜有促进晶化的作用(约20%).沉积底栅TFT的微晶硅有源层时,必须计入该影...
关键词：微晶硅 底栅薄膜晶体管 起始层 硅烷浓度 晶化体积比 
大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究被引量：7
《物理学报》2006年第11期6095-6100,共6页赵淑云 吴春亚 刘召军 李学冬 王中 孟志国 熊绍珍 张芳 
国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2004AA303570);国家自然科学基金重点项目(批准号:60437030);天津市自然科学基金(批准号:05YFJMJC01400);国家出国留学人员回国基金资助的课题.~~
用无电电镀的化学方法,在VHF-PECVD沉积获得的非晶硅薄膜表面形成镍诱导源,在550℃下退火若干小时,可以诱导产生微米量级的多晶硅晶粒.用此法形成的镍源可以均匀地分布在非晶硅薄膜的表面.非晶硅薄膜上形成晶核的数量取决于镍溶液的浓度...
关键词：金属诱导晶化 化学源 多晶硅 薄膜晶体管 
微晶硅薄膜晶体管稳定性研究被引量：3
《物理学报》2006年第12期6612-6616,共5页李娟 吴春亚 赵淑云 刘建平 孟志国 熊绍珍 张芳 
国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA303570);国家自然科学基金重点项目(批准号:60437030);天津市自然科学基金(批准号:05YFJMJC01400);教育部留学回国人员科研启动基金资助的课题.~~
对有源区处于结构过渡区的微晶硅底栅薄膜晶体管,测试其偏压衰退特性时,观察到一种“自恢复”的衰退现象.当栅和源漏同时施加10V的偏压时,测试其源-漏电流随时间的变化,发现源-漏电流先衰减、而后又开始恢复上升的反常现象.而当采用栅压...
关键词：过渡区硅材料 微晶硅薄膜晶体管 稳定性 自恢复衰退 
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