陈铠

作品数：2被引量：5H指数：1
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供职机构：南京大学更多>>
发文主题：源数据指数函数纳米硅并行度卷积神经网络更多>>
发文领域：自动化与计算机技术电子电信理学文化科学更多>>
发文期刊：《物理学报》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
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尺寸可控的纳米硅的生长模型和实验验证被引量：5
《物理学报》2006年第10期5403-5408,共6页刘艳松 陈铠 乔峰 黄信凡 韩培 高钱波 马忠元 李伟 徐骏 陈坤基 
国家自然科学基金(批准号:60471021;90301009;60508009);国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB610503);中国科学院微系统和信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室开放课题资助项目.~~
基于经典热力学理论,对a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构或a-Si:H/a-SiNx多层膜结构中纳米硅成核,以及从球形到鼓形的生长过程进行了研究.建立了限制性晶化理论模型:在纳米硅生长过程中,由于界面能增大将导致生长停止,给出限制性晶化条...
关键词：非晶硅 纳米硅 激光辐照 结晶 
a-SiN_x/nc-Si/a-SiN_x三明治结构的电荷存储效应
《固体电子学研究与进展》2002年第4期445-448,共4页戴敏 鲍云 石建军 张林 李伟 陈铠 王立 黄信凡 陈坤基 
国家自然科学基金资助 (项目编号 :90 10 10 2 0 ;60 0 710 19);江苏省自然科学基金资助 (项目编号 :BK2 0 0 10 2 8)
采用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)生长技术结合限制性结晶原理 ,采用与硅平面工艺相兼容的准静态热退火方法 ,使 a-Si:H层晶化 ,制备出了高密度的、尺寸均匀的 nc-Si薄膜 ;利用 Raman散射和透射电镜 (TEM)技术 ,分析了样品的结构特...
关键词：纳米硅 退火 电容-电压特性 电荷存储 
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