宁静

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文主题：石墨烯氮化镓氮化铝氮化镓薄膜衬底更多>>
发文领域：电子电信化学工程金属学及工艺一般工业技术更多>>
发文期刊：《微电子学》《人工晶体学报》更多>>
所获基金：陕西省自然科学基金国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家重点基础研究发展计划更多>>
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多晶金刚石衬底范德瓦耳斯外延GaN薄膜
《人工晶体学报》2023年第5期901-908,共8页白玲 宁静 张进成 王东 王博宇 武海迪 赵江林 陶然 李忠辉 
国家自然科学基金(62274134);国家重点R&D项目(2021YFA0716400);国家杰出青年科学基金(61925404);芜湖、西安电子科技大学产学研合作专项基金(XWYCXY-012021005);国家重点科技专项(2009ZYHW0015):中央大学基础研究基金(JBF201101);中央高校基本科研业务费专项资金(QTZX23052)。
随着氮化镓(GaN)在高功率领域的广泛应用,GaN基器件的散热性能成为了制约其功率密度的主要因素,因此开辟新的热管理方案至关重要。具有高热导率的金刚石衬底可以用于改善GaN器件的散热问题。然而,由于金刚石和GaN之间的天然晶格失配,在...
关键词：GAN 金刚石 范德瓦耳斯外延生长 高散热 Al组分渐变 二维材料 
AlGaN/GaN HEMT的恒压电应力退化研究被引量：1
《微电子学》2020年第2期276-280,共5页张璐 宁静 王东 沈雪 董建国 张进成 
国家自然科学基金资助项目(61334002);陕西省自然科学基础研究计划资助项目(2016ZDJC-09);陕西省重点研发项目(2017ZDCXL-GY-11-03)。
研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在不同持续恒压电应力条件下的退化机制,制作了一种AlGaN/GaN HEMT。对该器件分别采用恒压开态应力和恒压关态应力,研究了与直流特性相关的重要参数的陷阱产生规律。实验结果表明,在开态应力下...
关键词：ALGAN/GAN HEMT 电应力退化 热载流子效应 逆压电效应 
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